1月19日，蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院副教授Mario Lanza博士來微電子所做學(xué)術(shù)交流，并作了題為“Nanoscale Studies of Resistive Switching in HfO2 RRAM”的學(xué)術(shù)報(bào)告。三室副主任龍世兵研究員主持交流會(huì)，微電子所科研人員、研究生共30余人參加了交流會(huì)。 

　　Mario Lanza在報(bào)告中介紹了研究團(tuán)隊(duì)在阻變存儲(chǔ)器（RRAM）研究的最新進(jìn)展，通過使用導(dǎo)電原子力顯微鏡（CAFM）和半導(dǎo)體參數(shù)分析儀（SPA）分析了高k電介質(zhì)的電學(xué)性能，證明了下一代非易失性存儲(chǔ)器中功能層HfO2薄膜中電阻開關(guān)（RS）的起源。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在HfO2薄膜中，由于其固有的高濃度缺陷，RS僅發(fā)生在多晶試樣的晶粒間界，這導(dǎo)致了軟介電擊穿和可逆的導(dǎo)電細(xì)絲。由于CAFM的針尖在高電流下穩(wěn)定性很差，可能導(dǎo)致不可逆的破壞。為克服這一問題，Mario Lanza的研究團(tuán)隊(duì)制備了用石墨烯薄層覆蓋的超穩(wěn)定化CAFM針尖，并觀察到了諸如電流通過導(dǎo)電絲從動(dòng)的極性依賴性等新現(xiàn)象。與會(huì)人員與Mario Lanza就阻變存儲(chǔ)器的電阻轉(zhuǎn)變機(jī)理、導(dǎo)電原子力顯微鏡的使用及應(yīng)用等進(jìn)行了熱烈的學(xué)術(shù)討論。 

　　Mario Lanza現(xiàn)任蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院實(shí)驗(yàn)室副教授、Wiley雜志晶體研究和技術(shù)期刊顧問委員會(huì)成員，獲得巴塞羅那自治大學(xué)電子工程系博士學(xué)位，曾任斯坦福大學(xué)居里夫人博士后研究員，在《科學(xué)》、《先進(jìn)材料》、《納米研究》、《應(yīng)用物理快報(bào)》和IEEE等頂尖學(xué)術(shù)期刊發(fā)表論文35篇。

交流會(huì)現(xiàn)場