10月27日，法國(guó)原子能委員會(huì)電子與信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（CEA-LETI）硅技術(shù)器件研究中心首席科學(xué)家Simon Deleonibus博士來微電子所做學(xué)術(shù)交流，并做了題為“Towards Full 3D, Zero Variability and Zero Power Future Micro/Nano-Electronics”的學(xué)術(shù)報(bào)告。微電子所三室副主任龍世兵副研究員主持交流會(huì)，所內(nèi)科研人員及研究生共30余人參加了交流會(huì)。 

　　Simon Deleonibus博士簡(jiǎn)要介紹了CEA-LETI硅技術(shù)器件研究中心概況，對(duì)研究中心的微納技術(shù)、生物技術(shù)、新能源技術(shù)三個(gè)研究方向做了詳細(xì)論述。他指出，大幅度降低功耗是集成電路的發(fā)展趨勢(shì)，高性能CMOS和存儲(chǔ)器在系統(tǒng)層面有助于實(shí)現(xiàn)能源效率最大化，將成為行業(yè)未來的主要發(fā)展目標(biāo)。他隨后介紹了三維集成及建構(gòu)新系統(tǒng)減小功耗等研究的進(jìn)展情況。交流會(huì)后，與會(huì)人員就器件三維集成、低功耗等行業(yè)關(guān)注的技術(shù)問題與Simon Deleonibus博士進(jìn)行了熱烈的學(xué)術(shù)討論。 

　　Simon Deleonibus博士現(xiàn)任CEA-LETI硅技術(shù)器件研究中心首席科學(xué)家、電子納米器件實(shí)驗(yàn)室主任，發(fā)表論文超過600篇，擁有專利32項(xiàng)，擔(dān)任IEEE Transactions on Electron Devices等知名期刊的編輯，曾被選為IEEE院士及IEEE杰出講師，他發(fā)明的接觸插頭原理已成為互連過程中廣泛使用的標(biāo)準(zhǔn)。 

交流會(huì)現(xiàn)場(chǎng)