1月16日至17日，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）成功舉辦第一屆中日韓阻變存儲(chǔ)器和功能氧化物研討會(huì)。 

　　參加此次研討會(huì)的有首爾國(guó)立大學(xué)Cheol Seong Hwang教授，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究所Doo Seong Jeong博士，日本先進(jìn)工業(yè)科學(xué)和技術(shù)研究所Isao H. Inoue博士、Hiroyuki Yamada博士，北京大學(xué)康晉鋒教授，中科院微電子所劉明研究員以及來(lái)自清華大學(xué)、北京大學(xué)等國(guó)內(nèi)知名大學(xué)以及研究院所的20多位教授和30多名學(xué)生。 

　　此次會(huì)議旨在加強(qiáng)中科院微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室與國(guó)內(nèi)外其他高校、科研院所關(guān)于阻變儲(chǔ)存器和功能氧化物等領(lǐng)域?qū)＜业慕涣骱献鳎玫卣故鞠嚓P(guān)研究領(lǐng)域的新成果，促進(jìn)該研究領(lǐng)域的深入發(fā)展。 

　　會(huì)上，中科院微電子所副所長(zhǎng)劉新宇首先向大會(huì)致辭，對(duì)參會(huì)者的到來(lái)表示歡迎。隨后Cheol Seong Hwang教授作了題目為Resistance switching in TiO2: microscopic identity, switching mechanism and outlook的報(bào)告，主要介紹了基于TiO2功能層的阻變存儲(chǔ)器的微觀密度、轉(zhuǎn)變機(jī)理的問(wèn)題和未來(lái)展望；Isao H. Inoue博士作了題為Mott transistor: concept, obstacles, and future的報(bào)告，介紹了Mott晶體管的概念、困難以及未來(lái)發(fā)展前景；康晉鋒教授作了題為Toward 3D RRAM Integration: Optimization of Device Structure and Array Architecture的報(bào)告，介紹了RRAM的三維集成等問(wèn)題；Doo Seong Jeong博士作了題為Towards nanoionics-based artificial neurons and synapses: a materials point of view的報(bào)告，介紹了人工神經(jīng)元的工作和功能氧化物的應(yīng)用問(wèn)題；Hiroyuki Yamada博士作了題為Resistive Switching in Ferroelectric Junctions : Investigations with Novel Material and Controlled Interface的報(bào)告，主要介紹了鐵電結(jié)中電阻轉(zhuǎn)變的特性等問(wèn)題；劉明研究員作了題為Microscopic mechanism of solid-electrolyte-based RRAM: present status and outlook的報(bào)告，介紹了基于固體電解質(zhì)的RRAM的微觀轉(zhuǎn)變機(jī)制的問(wèn)題。6位報(bào)告人在報(bào)告后都與參會(huì)人員進(jìn)行了熱烈的討論和交流。 

　　1月17日，來(lái)自清華大學(xué)、北京大學(xué)、南京大學(xué)、武漢大學(xué)、中科院微電子所等10所國(guó)內(nèi)知名高等院所的17名學(xué)者就阻變存儲(chǔ)器的新材料、新結(jié)構(gòu)、機(jī)理和集成等方面進(jìn)行了匯報(bào)，并與參會(huì)人員進(jìn)行了熱烈討論。 

　　第一屆中日韓阻變存儲(chǔ)器和功能氧化物研討會(huì)，科研方向集中、交流目標(biāo)明確、內(nèi)容形式活潑，會(huì)議效果良好，達(dá)到了來(lái)自不同國(guó)家、不同機(jī)構(gòu)在學(xué)術(shù)上相互學(xué)習(xí)、相互了解的目的，為進(jìn)一步開展合作交流搭建了一個(gè)高層次、高水平的平臺(tái)。 

 
研討會(huì)現(xiàn)場(chǎng)

所有參會(huì)人員照片