9月9日，意大利米蘭理工大學(xué)副教授 Daniele Ielmini 應(yīng)微電子所微細(xì)加工與納米技術(shù)研究室（三室）主任劉明研究員邀請(qǐng)，到微電子所進(jìn)行學(xué)術(shù)訪問并作題為Resistive switching nanodevices: modeling, scaling and novel functionalities報(bào)告。 

　　報(bào)告中，Daniele Ielmini教授講述了雙極型阻變存儲(chǔ)器的阻變機(jī)制，并提出了在直流和交流條件下置位/復(fù)位的一種數(shù)學(xué)模型。他解釋了互補(bǔ)型阻變?cè)试S自選擇阻變存儲(chǔ)器和多值存儲(chǔ)單元（MLC）的操作，并介紹了由于RTN和變異性問題對(duì)阻變存儲(chǔ)器比例減小的限制問題的解決方案以及電阻轉(zhuǎn)變納米器件的新計(jì)算方案。報(bào)告后，參會(huì)人員與Daniele Ielmini教授還就電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)器的具體問題展開了交流討論。 

　　Daniele Ielmini副教授的研究領(lǐng)域主要有新型納米器件的設(shè)計(jì)與模型建立，尤其是在相變存儲(chǔ)器和電阻轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)器領(lǐng)域有較好的研究成果。其在2000年獲得博士學(xué)位，并在英特爾和斯坦福大學(xué)擔(dān)任博士后。獲得了英特爾杰出研究獎(jiǎng)（2013年），是IEEE高級(jí)會(huì)員（2009年）。他在IEDM（2008-09），IRPS（2005-08），SISC（2008-10）和INFOS（2011-13）擔(dān)任技術(shù)委員會(huì)成員。