8月30日，中國科學院EDA中心舉辦邀請中芯國際(SMIC)技術研發部主任、EDA中心客座研究員張立夫博士到微電子所做學術交劉，并做題為Double Patterning Technology at 22nm/20nm Process Node（22/20納米工藝節點的二次曝光技術）的專題報告。EDA中心主任陳嵐主持交流會，來自中科院京區各科研院所的30余名科研人員參加了會議。
在當今集成電路工藝的快速發展和高良率要求下， 20納米光刻工藝存在諸多挑戰。張立夫博士在報告中提出SMIC針對22/20納米工藝可能應用的二次曝光技術及多種不同方法，并提出基于該技術在曝光過程中產生的UCC（unresolved conflict cycle）等問題及SMIC相應解決方案的設計流程。會上，張立夫博士就相關問題與參會人員展開了熱烈討論。
張立夫博士，IEEE高級會員，畢業于普渡大學，現任中芯國際技術研發部主任，擁有資深的固體電子學背景和近20年行業經驗，在中芯國際主管 65到32納米(high K metal gate)前沿半導體工藝的建模和仿真技術開發。他帶領的團隊致力于POST-OPC RET、CMP、eDFM、物理設計和設計規則方面的可制造性設計方法學（DFM）研究。
SMIC中芯國際是中科院EDA中心重要的合作伙伴。EDA中心研發的針對SMIC65納米以下工藝節點的可制造性設計工具DFMT-CMP已進入商業設計流程和服務企業用戶新階段。EDA中心與SMIC中芯國際達成了MPW多目標芯片合作協議，目的旨在共同推動本土IC產業鏈的建立發展。
報告會現場
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