新加坡南洋理工大學Prof. Tan Cher Ming到微電子所交流

　　6月1日，新加坡南洋理工大學Prof. Tan Cher Ming到微電子所進行學術交流，并做題為“Physics of Electromigration in Today ULSI Interconnection”學術報告。微電子所三室李泠研究員主持交流會并致歡迎詞，30余名科研人員及研究生參加了交流會。

　　報告中，Prof. Tan Cher Ming主要介紹了電遷移對超大規模集成電路可靠性的影響問題。他介紹到，由于集成電路技術節點的不斷推進，電遷移的物理特性也發生變化，電子風力不再是唯一的驅動力，并且應用在黑色方程中也被證明是不準確的。他還介紹了“電遷移的基本物理特性和電遷移對電路性能的影響”、“分別采用實驗和建模的方法顯示不斷變化的電遷移驅動力”以及“由于電遷移作用而修正后替代黑方程的模型來描述互連壽命”等問題。報告后，與會聽眾與Prof. Tan Cher Ming就電遷移在3D電路模型顯示、模擬電路、數字電路、射頻IC基本構建塊中的影響的問題進行了交流討論。

　　Prof. Tan Cher Ming 1984年畢業于新加坡國立大學，1987年和1992年在多倫多大學分別獲得電氣工程碩士學位和博士學位。在1996年加入南洋理工大學擔任教員之前擁有10多年的電子行業經驗。已經出版200多篇國際期刊和會議論文，并持有5專利和1項軟件著作權。現任IEEE高級會員和IEEE電子器件學會的特聘講師，IEEE納米技術新加坡分會的創會主席，美國質量學會的高級會員，新加坡工程師學會會員，其主要科研領域包括互連可靠性的數值模擬，固態設備的可靠性，物理，固態設備的可靠性測試方法，固態故障分析故障，設備和系統的可靠性統計分析。