5月11日，臺灣國立中山大學物理系張鼎張教授到中科院微電子所進行學術交流，并做題為“下一代新穎非揮發(fā)性電阻式存儲元件之制備與物理機制研究”的學術報告。微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）副主任謝常青研究員主持交流會并致歡迎詞，30余名科研人員及研究生參加了交流會。所人教處處長趙永鳳向張鼎張教授頒發(fā)了中國科學院微電子研究所 “榮譽研究員”的聘書。

　　交流會上，張鼎張教授首先介紹了臺灣國立中山大學的基本概況，展示了國立中山大學的附近高雄港、西子灣以及校園、圖書館的照片，讓大家有了直觀地解了。報告中，他介紹了閃存存儲器的物理極限阻止其發(fā)展等問題，并對以阻變存儲器、相變存儲器、磁存儲器等為主的下一代新型非揮發(fā)性存儲器進行了介紹。其中，他重點介紹了阻變存儲器，他說阻變存儲器具有操作電壓低、操作速度快、保持時間長、非破壞性讀取、結構簡單以及與CMOS工藝兼容等優(yōu)點，將逐漸成為目前新型非揮發(fā)存儲器的研究重點。對于阻變存儲器的元件制備與物理機制等前沿研究，他提出了新結構、新材料、新技術等研究。其中新結構方面，主要研究金屬細絲形成的延伸電機結構、具有氧局限作用的雙層結構和金屬納米點嵌入結構；在新材料方面，主要研究了摻雜金屬的氧化硅、金屬硅化物的氧化物、全透明的阻變存儲器和研究電極材料等；在新技術方面，主要研究了超臨界流體低溫修補技術和超高阻變狀態(tài)的電阻轉(zhuǎn)變特性技術等。

　　報告后，與會聽眾與張鼎張教授還就阻變機理、新材料、新技術、新結構等學術界關注的技術問題進行了熱烈的學術討論。