11月21日，中佛羅里達(dá)大學(xué)Juin J. Liou教授來(lái)微電子所進(jìn)行學(xué)術(shù)交流，作了題目為Electrostatic Discharge (ESD) Protection of Modern and Future Integrated Circuits的精彩報(bào)告，并就集成電路中的靜電保護(hù)與師生等進(jìn)行了深入的交流和討論。

　　報(bào)告中，Juin J. Liou教授首先介紹了“靜電”是什么和如何產(chǎn)生的，通過(guò)自然界的閃電和日產(chǎn)生活中的靜電現(xiàn)象，深入淺出地引出了集成電路中的靜電現(xiàn)象、其對(duì)電路中核心芯片的嚴(yán)重危害和電路靜電保護(hù)的重要性。隨后，他介紹了三種靜電模型：人體模型、器件充放電模型和機(jī)械模型。Juin J. Liou教授認(rèn)為有兩種消除靜電的措施，包括環(huán)境控制和使用二極管等器件保護(hù)，其中使用器件保護(hù)晶片是最常用、最經(jīng)濟(jì)的靜電保護(hù)方法。在介紹芯片靜電測(cè)試的程序設(shè)備和其科研小組在靜電保護(hù)方面的研究案例時(shí)，通過(guò)如汽車電子芯片的靜電保護(hù)和晶片與核心芯片分開(kāi)的靜電保護(hù)等案例，使在做師生更具體、深刻、直觀地了解了芯片靜電保護(hù)的各種方法。報(bào)告的最后，老師、同學(xué)們就靜電保護(hù)研究中遇到的一些問(wèn)題與Juin J. Liou教授展開(kāi)了激烈的討論。

　　Juin J. Liou教授在1982年，1983年和1987年分別獲得了佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程專業(yè)的榮譽(yù)學(xué)士學(xué)位、碩士學(xué)位和博士學(xué)位。 1987年，他加入了中佛羅里達(dá)大學(xué)（UCF）的電氣工程和計(jì)算機(jī)系。現(xiàn)在他是中佛羅里達(dá)大學(xué)飛馬特聘教授和的模擬器件研究員。他目前的研究興趣是微/納米電子計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，射頻器件模型與仿真和靜電保護(hù)的電路設(shè)計(jì)和仿真。擁有7項(xiàng)美國(guó)專利，發(fā)表過(guò)9本書(shū)籍和240多篇期刊論文（包括16個(gè)邀請(qǐng)文章），以及在國(guó)際和國(guó)家會(huì)議論文集中發(fā)表了190多篇論文（包括78個(gè)主題演講或邀請(qǐng)論文）。此外，Juin J. Liou教授還擔(dān)任了很多社會(huì)職位（比如中國(guó)長(zhǎng)江學(xué)者和IEEE電子器件協(xié)會(huì)的理事會(huì)成員等）和獲得了很多獎(jiǎng)項(xiàng)及榮譽(yù)（例如：在教學(xué)和科研上的卓越表現(xiàn)而獲得來(lái)自中佛羅里達(dá)大學(xué)的十個(gè)不同獎(jiǎng)項(xiàng)和從IEEE獲得的6個(gè)不同獎(jiǎng)項(xiàng)等）。