11月15日，新加坡南洋理工大學(xué)周興教授來微電子所進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。并作了題目為Unification of MOS Compact Models with the Unified Regional Modeling Approach的精彩報(bào)告。

　　報(bào)告中，周興教授詳細(xì)分析了目前已有的MOS模型以及各種模型的優(yōu)缺點(diǎn)，并提出了一種集約模型——Xsim。Xsim集約模型通過同一區(qū)域化的方法可以統(tǒng)一MOSFET模型。他認(rèn)為，相比于其他MOSFET模型，Xsim集約模型在模擬和驗(yàn)證統(tǒng)一化的MOSFET架構(gòu)中的一些現(xiàn)象和規(guī)律時(shí)能同時(shí)兼顧新結(jié)構(gòu)中的計(jì)算精度和計(jì)算速度，比如在部分耗盡（PD）、全耗盡（FD）、超薄體硅器件（UTB）、對(duì)稱或非對(duì)稱雙柵結(jié)構(gòu)（s-DG/a-DG）器件中的應(yīng)用。并且Xsim模型能以最少的物理參數(shù)來用于SPICE一類的仿真軟件驗(yàn)證肖特基勢(shì)壘型的MOSFET中的雙極性電流和模擬不對(duì)稱的源/漏MOSFET等等。聽完周教授的報(bào)告，與會(huì)者紛紛表示很受啟發(fā)，認(rèn)為Xsim集約模型對(duì)以后的模型研究工作很有借鑒和參考價(jià)值。

　　周興教授于1990年在羅切斯特大學(xué)獲得博士學(xué)位。1992年加入南洋理工大學(xué)的電器與電子工程學(xué)院，現(xiàn)擔(dān)任副教授。目前主要研究方向是集約模型電路模擬中的發(fā)展和應(yīng)用。他曾經(jīng)擔(dān)任過斯坦福大學(xué)、廣島大學(xué)和馬來西亞理工大學(xué)的客座教授。2002年至今，任集約模型座談?dòng)懻摃?huì)的主席。此外，還是IEEE EDS（IEEE Electron Devices Society） 執(zhí)行委員會(huì)的成員，從2000年開始，擔(dān)任EDS 的講師。2007年至今，擔(dān)任《IEEE Electron Device Letters》期刊的編輯。

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