2011年8月8 日—11日，第十二屆電子封裝技術(shù)和高密度封裝國(guó)際會(huì)議（ICEPT-HDP2011）在上海龍東商務(wù)酒店舉行。中科院微電子所系統(tǒng)封裝研究室（九室）派出二十人團(tuán)隊(duì)參會(huì)并發(fā)表論文14篇，受到參會(huì)各方面人士的極大關(guān)注，其中一篇榮獲杰出論文獎(jiǎng)（Outstanding Paper Award）。

　　ICEPT-HDP 系列會(huì)議多年來(lái)得到了電子元件封裝和生產(chǎn)技術(shù)學(xué)會(huì)（IEEE-CPMT）的全力支持和IMAPS、ASME和iNEMI等國(guó)際著名行業(yè)組織的積極參與。ICEPT-HDP 2011由中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子制造與封裝技術(shù)分會(huì)（EMPT）主辦，上海大學(xué)承辦，國(guó)內(nèi)外參會(huì)代表400余人。與會(huì)代表分別圍繞先進(jìn)封裝與系統(tǒng)封裝、封裝材料與工藝、封裝設(shè)計(jì)與模擬、高密度基板及組裝技術(shù)、封裝設(shè)備及先進(jìn)制造技術(shù)、質(zhì)量與可靠性控制、新興領(lǐng)域封裝等8個(gè)方面進(jìn)行了分組討論。

　　此次中科院微電子所不僅派出了強(qiáng)大團(tuán)隊(duì)參會(huì)，論文發(fā)表篇數(shù)也居各參會(huì)單位之首。其中赫然等人的論文《Nonlinear Thermo-Mechanical Analysis of TSV Interposer Filling with Solder, Cu and Cu-Cored Solder》榮獲杰出論文獎(jiǎng)。該論文提出一種新的TSV的金屬填充方法，使用銅芯錫球來(lái)快速填充盲孔，具有工藝簡(jiǎn)單、速度快、成本低的特點(diǎn)，克服了傳統(tǒng)填充方法速度慢、成本高的問(wèn)題。該方法在國(guó)際屬首創(chuàng)，受到了參會(huì)國(guó)內(nèi)外各方的極大關(guān)注。另外，王惠娟等人的“高密度三維硅基PN結(jié)電容”、張霞等人的“埋入有源元件的功能基板”、周靜等人的“高密度高功率芯片封裝的散熱設(shè)計(jì)”、趙寧等人的“BT/BST/ST多層薄膜MFM電容”、劉豐滿(mǎn)等人的“高密度光電集成測(cè)量方法和電學(xué)設(shè)計(jì)”、李君等人的“電子封裝的新型散熱結(jié)構(gòu)”、郭學(xué)平等人的“埋入有源元件的有機(jī)基板的熱管理”、賈佳等人的“使用GTLE的SiP信號(hào)完整性模擬”、王海東等人的“高速互連的串?dāng)_分析和優(yōu)化”、楊坤等人的“引線鍵合對(duì)SiP高速連接的傳輸特性的影響”、李寶霞等人的“高速封裝基板的電源分布網(wǎng)絡(luò)的超寬帶噪聲隔離”、陶文君等人的“高速高密度ASIC封裝的電學(xué)設(shè)計(jì)”、周云燕等人的“基于GTLE和過(guò)孔模型的多層電源分布網(wǎng)絡(luò)的電源完整性模擬”等研究?jī)?nèi)容，都吸引了參會(huì)者的極大關(guān)注。國(guó)內(nèi)外同行對(duì)中科院微電子所系統(tǒng)封裝技術(shù)研究室在電學(xué)設(shè)計(jì)上的優(yōu)勢(shì)給予了充分的肯定，并對(duì)研究室在光互連領(lǐng)域和三維集成技術(shù)的研究表示出極大的興趣。

　　此次國(guó)際會(huì)議對(duì)鞏固微電子所在封裝研究領(lǐng)域的地位，提升在先進(jìn)封裝技術(shù)的國(guó)際影響力具有積極意義。而參會(huì)人員也通過(guò)與各方研究人員的交流開(kāi)拓了視野，看到了與世界先進(jìn)水平的差距，了解到許多技術(shù)信息，為今后科研工作更上一層樓積累了寶貴的經(jīng)驗(yàn)。