2011年3月16日，由中科院微電子所聯合微系統所共同成立的創新團隊舉行了2011 International Workshop on Exploratory Research for Semiconductor Devices and VLSI Packaging。
微電子所朱慧瓏研究員主持了會議并致歡迎詞。多名創新團隊成員和50余位來自微電子研究所、北京大學、清華大學等高校、研究所的研究人員、學生參加了會議，并就“低功耗、小尺寸、高性能的新型半導體器件，高密度三維封裝及石墨烯、碳納米管等相關新材料、新工藝”方面的國際上共同關心的科學和工程前沿問題進行了熱烈地學術討論。受邀來自IBM、臺灣大學、新加坡南洋理工大學、Technical University of Denmark等國內外知名公司、高校、研究機構的專家在會上作了關于“低功耗部分耗盡絕緣體上硅互補金屬氧化物半導體晶體管及相關工藝，高遷移率溝道，高k/金屬柵CMOS器件關鍵工藝技術，石墨烯-金屬器件的接觸特性研究，3D/TSV系統集成與封裝關鍵材料技術”等相關領域的學術報告。
此次會議為創新團隊成員單位進行學術探討，獲悉前沿研究進展搭建了平臺，將對進一步加強國際科研機構間交流及合作、促進我國半導體集成電路的發展起到一定推動作用。
會后，與會專家參觀了微電子所集成電路先導工藝研發中心（十室）4英寸及8英寸CMOS/MEMS工藝研發平臺，李俊峰副主任詳盡介紹了平臺的現有工藝能力及近期規劃，同時聽取了專家的意見與建議。
朱慧瓏研究員主持會議
會后合影
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