2010年5月23至28日，中科院微電子所微波器件與集成電路研究室（四室）HBT課題組陳高鵬、吳旦昱兩名在讀博士研究生應(yīng)邀赴美國(guó)加利福尼亞州參加2010年度RFIC會(huì)議（2010 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium）以及IMS會(huì)議（2010 IEEE MTT-S International Microwave Symposium），并以口頭報(bào)告（oral）形式做論文報(bào)告。

　　陳高鵬、吳旦昱兩名博士于5月25日在美國(guó)加州阿納海姆會(huì)議中心宣講了報(bào)告論文。陳高鵬博士的演講題目是“A 10GHz 8-bit Direct Digital Synthesizer Implemented in GaAs HBT Technology”，介紹了2009年中科院微電子所微波器件與集成電路研究室流片成功的10GHz DDS芯片。他向與會(huì)人員闡述了目前國(guó)際上比較通用的DDS體系結(jié)構(gòu)，并詳細(xì)介紹了自主創(chuàng)新的雙邊沿觸發(fā)累加器構(gòu)成的DDS架構(gòu)，原理圖設(shè)計(jì)，版圖設(shè)計(jì)，以及DDS的測(cè)試方法和測(cè)試結(jié)果。

　　吳旦昱博士的演講題目是“A 6GHz Direct Digital Synthesizer MMIC with Nonlinear DAC and Wave Correction ROM”，介紹了2009年微波器件與集成電路研究室流片成功6GHz DDS芯片的設(shè)計(jì)及仿真過程，并著重展示了基于版圖電磁場(chǎng)仿真的信號(hào)完整性分析，以及相應(yīng)的信號(hào)完整性解決方法。最后給出了該DDS芯片的測(cè)試結(jié)果，并將其與其他國(guó)際科研機(jī)構(gòu)的研究成果加以對(duì)比，凸顯出該芯片的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。

　　報(bào)告中，與會(huì)人員與兩位博士進(jìn)行了深入的科研探討，來自Intel公司的分會(huì)主席和來自DARPA的副主席對(duì)其信號(hào)完整性的解決方案很感興趣，詳細(xì)詢問了電路中部分器件的參數(shù)，并就“DDS的設(shè)計(jì)中何種因素限制了SFDR性能”等問題交換意見，他們認(rèn)為這兩款DDS芯片體現(xiàn)了中國(guó)科研人員的DDS芯片設(shè)計(jì)水平，在這一領(lǐng)域，中國(guó)已經(jīng)走在了世界的前列。

　　IEEE射頻集成電路會(huì)議（RFIC）是射頻集成電路領(lǐng)域頂級(jí)會(huì)議之一，與RFIC會(huì)議同期舉行的IEEE國(guó)際微波會(huì)議（IMS）是國(guó)際微波領(lǐng)域最主要的技術(shù)大會(huì)之一。大會(huì)分為全體會(huì)議（Plenary session）、專題討論會(huì)（Workshop Session）、熱點(diǎn)專題會(huì)議（Focused and Panel Session）、口頭報(bào)告（Oral Session）、交互論壇（Interactive Forum）以及眾多參展商參與的展會(huì)（IMS Exhibition）。

　　本次大會(huì)重點(diǎn)討論射頻系統(tǒng)、用于移動(dòng)終端的電路和器件以及封裝技術(shù)、無線通信系統(tǒng)、寬帶接入系統(tǒng)、雷達(dá)系統(tǒng)和智能運(yùn)輸系統(tǒng)領(lǐng)域最先進(jìn)的技術(shù)成果。我國(guó)大陸學(xué)者自1997年以來在 RFIC上共發(fā)表13篇文章，其中今年發(fā)表4篇（中科院微電子所2篇），4位文章作者受邀參加本次大會(huì)做論文報(bào)告。陳高鵬、吳旦昱兩名博士受邀參會(huì)充分說明了經(jīng)過長(zhǎng)期的積累和發(fā)展，中科院在射頻集成電路研究領(lǐng)域已經(jīng)獲得突破，在該科研領(lǐng)域的國(guó)際地位得到巨大提升，國(guó)際影響力日益升高，這也必將對(duì)國(guó)內(nèi)射頻集成電路和超高速數(shù)模混合電路的發(fā)展起到重要的推動(dòng)作用。