2010年3月15日，應(yīng)微電子所葉甜春所長和“新器件及封裝”創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)邀請，美國耶魯大學(xué)馬佐平(Tso-Ping Ma)教授到微電子所進(jìn)行了交流訪問，并做了主題為“Future CMOS Technology Based on III-V Semiconductor Channels”的學(xué)術(shù)報(bào)告。 

　　馬佐平教授在報(bào)告中指出，在超高轉(zhuǎn)換速度邏輯電路應(yīng)用中，正在考慮將許多高遷移率溝道材料作為硅的替代材料。在該領(lǐng)域的領(lǐng)先研究者中，他預(yù)見只有III-V族半導(dǎo)體材料與Si的集成才能真正成為未來主流IC技術(shù)，特別是當(dāng)這種替代溝道材料首先被需要時(shí)。 

　　在研究中，他引入新型“單極”CMOS邏輯電路作為解決許多高電子遷移率III-V族半導(dǎo)體材料的低空穴遷移率問題的方法。因?yàn)樵贑MOS轉(zhuǎn)換開關(guān)中，“單極”CMOS邏輯電路不需要p-溝道晶體管。另外，“單極”CMOS也可適用于難以同時(shí)進(jìn)行p-型摻雜和n-型摻雜的其他材料，或者用于制備p-型和n-型接觸。 

　　訪問期間，微電子所葉甜春所長、吳德馨院士、駱志炯研究員、尹海洲研究員、梁擎擎研究員、王文武研究員還就相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)問題與馬佐平教授進(jìn)行了熱烈討論和深入交流。 

　　馬佐平教授曾任耶魯大學(xué)電子工程系系主任，現(xiàn)為耶魯大學(xué)電子工程系Raymond John Wean 講座教授，并擔(dān)任微電子耶魯研究中心共同主任，是美國國家工程院院士、中國科學(xué)院外籍院士和電子與電機(jī)工程學(xué)會(IEEE) Fellow。其進(jìn)行的研究工作對高科技產(chǎn)業(yè)有著重大影響，他的學(xué)生們也已在半導(dǎo)體和計(jì)算機(jī)硬件領(lǐng)域居于領(lǐng)軍人物地位。馬佐平獲獎眾多，其中，2005年獲電子與電機(jī)工程學(xué)會“葛洛夫獎(Andrew S. Grove Award)”；2006年因在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先性工作，獲美國半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會年度“學(xué)術(shù)研究獎(University Researcher Award)”；2008年獲得康乃狄克州頒發(fā)的“科技勛章 (Connecticut Medal of Technology)”。 

馬佐平教授作報(bào)告 　　

吳德馨院士（左二）、葉甜春所長（左三）出席報(bào)告會