2010年2月25日，應(yīng)微電子所四室金智研究員邀請，德國杜伊斯堡·埃森大學(xué)Werner Prost博士到微電子所進(jìn)行交流并作了主題為“Examples of　III/V Micro- and Nanoelectronics: RTD/HBT VCO and advanced nanowire FETs”的學(xué)術(shù)報(bào)告。 

　　Werner Prost博士在報(bào)告中針對III/V族納米線器件的最新研究進(jìn)展作了詳盡介紹，并對一種采用集成HBT-RTD工藝的新型器件實(shí)現(xiàn)的振蕩器電路作了介紹。期間，微電子所相關(guān)領(lǐng)域的研究人員紛紛發(fā)言，和Werner Prost博士進(jìn)行了熱烈的討論與交流。會(huì)后，微電子所四室主任劉新宇會(huì)見了Werner Prost博士，向他詳細(xì)介紹了微電子所的科研狀況，并就雙方感興趣的學(xué)術(shù)問題作了進(jìn)一步交流以及就未來在相關(guān)科研領(lǐng)域的合作前景進(jìn)行了深入探討。 

　　Werner Prost博士于1989年在杜伊斯堡大學(xué)取得電子工程博士學(xué)位，于1991年被北萊茵河威斯特伐利亞地區(qū)科技教育部長授予“青年科學(xué)家”榮譽(yù)。他曾協(xié)調(diào)運(yùn)作了兩項(xiàng)基于量子電子裝置 III/V and Si/SiGe“納米級(jí)信息系統(tǒng)”歐洲研究計(jì)劃。此外，他還參與了多項(xiàng)國際科研合作。目前是杜伊斯堡-埃森大學(xué)工程學(xué)院的資深科研人員。 

　　Werner Prost博士