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當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 邵花
  • 性別： 女
  • 職稱： 副研究員
  • 職務： 
  • 學歷： 博士
  • 電話： 
  • 傳真： 
  • 電子郵件： 
  • 所屬部門： EDA中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2005.09-2009.06，哈爾濱工程大學，電子信息科學與技術(shù)，學士

    2010.09-2013.06，中國科學院大學，電子與通信工程，碩士

    2019.09-2022.06，中國科學院大學，微電子學與固體電子學，博士

    工作簡歷

    2013.07-2016.03，中國科學院微電子研究所人教處，教育主管

    2016.03-2019.07，中國科學院微電子研究所科教中心，外聯(lián)主管

    2019.07-2023.02，中國科學院微電子研究所先導中心，助理研究員

    2023.02-2024.12，中國科學院微電子研究所EDA中心，助理研究員

    2024.12-至今，中國科學院微電子研究所EDA中心，副研究員


    社會任職：

    研究方向：

  • 集成電路先進制造TCAD工藝仿真

    承擔科研項目情況：

  • 先后主持項目4項，并作為核心骨干參與國家重點研發(fā)計劃、中科院先導專項、企業(yè)橫向合作等多項重點項目和課題。

    1、國家重點研發(fā)計劃青年科學家項目，2023YFB4402600，納米尺度工藝微觀動力學，2023-12至2026-11，300萬元，項目骨干。

    2、中國科學院青年創(chuàng)新促進會，2023129，先進刻蝕沉積工藝仿真研究，2023-01至2026-12，80萬元，項目負責人。

    3、中國科學院微電子研究所青苗計劃A類，集成電路制造中的沉積刻蝕工藝仿真研究，2023-7至2025-12，200萬元，項目負責人。




    代表論著：

  • 1.?Hua Shao, Tobias Reiter, Rui Chen, Junjie Li, Ziyi Hu, Yayi Wei, Ling Li, and Lado Filipovic, Loading Effect during SiGe/Si Stack Selective Isotropic Etching for Gate-All-Around Transistors[J], ACS Applied Electronic Materials, 2024, 6(11).

    2.?Hua Shao, Rui Chen, LiSong Dong, Chen Li, Qi Yan, Taian Fan, Yayi Wei, High Accuracy Simulation of Silicon Oxynitride Film Grown by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J], IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 2022, 35 (2): 309-317.?

    3.?Ziyi Hu, Hua Shao*, Junjie Li, et al., Modeling of Micro-trenching and Bowing Effects in Nano-scale Si Inductively Coupled Plasma Etching Process[J], JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 41(6), 2023.

    4.Sen Deng, Hua Shao*, Dandan Han, Rui Chen, Yayi Wei, Modeling conformality of Al2O3?deposited in high aspect ratio structure by atomic layer deposition[J], Japanese Journal of Applied Physics, 2025, 64, 045503.

    5.?Yuxuan Zhai, Wenrui Wang, Rui Chen, Hua Shao*, et al., A Machine Learning Model for Interpretable PECVD Deposition Rate Prediction[J], 2025, Advanced Intelligent Discovery.

    6.Hua Shao, Rui Chen, Junjie Li, et al., Modeling of SiN Inner Spacer Deposition in Gate-all-around Nanosheet FET Process[C], Proc. of SPIE 12055, Advances in Patterning Materials and Processes XXXIX, 1205502, 2022.?





    專利申請：

  • 授權(quán)發(fā)明專利9項，申請專利20余項，代表性專利如下：

    1.?邵花, 葉甜春, 韋亞一, 陳睿, 王云, 薛靜. 半導體建模方法、裝置、存儲介質(zhì)及計算機. 專利號：ZL 202110271530.X

    2.?邵花, 韋亞一,?陳睿,?王云, 薛靜, 葉甜春. 一種用于半導體器件的薄膜形貌預測方法及裝置. 專利號：ZL 202110639484.4

    3.邵花, 韋亞一等. 薄膜沉積建模速率拓展方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì). 申請?zhí)枺?02210061500.0

    4.邵花, 韋亞一，一種薄膜沉積工藝仿真模型參數(shù)優(yōu)化方法及裝置.?申請?zhí)枺?02211728408.1

    5.邵花, 韋亞一, 陳睿, 半導體圖形化工藝仿真模型中形貌缺陷確定方法及裝置, 202310334555.9

    6.?邵花, 喻杰等,一種化學氣相沉積的模擬仿真方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì), 申請?zhí)枺?02411622242.4

    7.?邵花, 傅一豪等，集成電路制造工藝真空輸運仿真方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì), ZL 202411688687.2

    獲獎及榮譽：

  • 2025年?獲中國科學院大學教育教學成果二等獎（排名第二）

    2023年?入選中國科學院青促會會員

    2021年?獲中國科學院教育教學成果二等獎（排名第四）

    2015年?獲評中國科學院微電子所年度十佳先進工作者