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當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 舒磊
  • 性別： 男
  • 職稱： 副研究員
  • 職務(wù)： 
  • 學歷： 
  • 電話： 
  • 傳真： 
  • 電子郵件： 
  • 所屬部門： 抗輻照器件技術(shù)重點實驗室
  • 通訊地址： 

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2016.3-2020.10?哈爾濱工業(yè)大學 ?微電子學與固體電子學 博士

    2011.9-2014.3 ?北京郵電大學 ???電子與通信工程 碩士

    2007.9-2011.7 ?解放軍信息工程大學 ???通信工程 ??本科

    工作簡歷

    2024.7—至今 中國科學院微電子研究所 ?副研究員/青年研究員

    2023.9—2024.6北京時代民芯科技有限公司 工程師

    2021.1—2023.9北京時代民芯科技有限公司 博士后

    2014.4—2016.2 北京時代民芯科技有限公司 ?硬件工程師





    社會任職：

    研究方向：

  • 高可靠SOI/化合物工藝、器件與電路技術(shù)

    承擔科研項目情況：

  • 1.?中國科學院先導B類項目 ?“COTS器件輻射損傷與電熱損傷的同源性理論與應(yīng)用研究” 課題負責人 2025年至2030年

    2.?國家自然青年基金 ?“β-Ga2O3?MOSFET高壓功率器件的單粒子輻射效應(yīng)研究” 項目負責人 2023年至2025年





    代表論著：

  • [1] Xiao-feng Wei, Hong-xin Zhang, Lei Shu*, et al., Analysis of electromagnetic radiation characteristics under TID radiation effects of trench-gate SiC MOSFETs. Journal of Instrumentation, 2025, 1-19.

    [2] You Li, Fan-yu Liu, Lei Shu*, Bo Lu and Bo Li and Jia-jun Luo, Low-frequency noise in the Double SOI (DSOI) MOSFETs with back-gate control. Journal of Instrumentation, 2025, 1-13.

    [3] Lei Shu, Yuan-Fu Zhao, Kenneth F Galloway, et al., Effect of Drift Length on Shifts in 400V SOI LDMOS Breakdown Voltage due to TID, IEEE Transactions on Nuclear Science(TNS), 2020 , 67(11): 2392-2395.

    [4] Lei Shu, Liang Wang, Kai Zhao, et al., TID-Induced Off-State Leakage Current in Partially Radiation-Hardened SOI LDMOS，IEEE Transactions on Nuclear Science (TNS), 2020, 67(6): 1133-1138.

    [5] Lei Shu, Liang Wang, Xin Zhou, et al., Numerical and Experimental Investigation of TID Radiation Effects on the Breakdown Voltage of 400-V SOI NLDMOSFETs, IEEE Transactions on Nuclear Science(TNS), 2019, vol. 66, no. 4, ?pp. 710-715.

    [6] Lei Shu, Yuan-Fu Zhao, KF Galloway, et al, TID-Induced Breakdown Voltage Degradation in Uniform and Linear Variable Doping SOI p-LDMOSFETs, IEEE Transactions on Nuclear Science(TNS), 2019, vol. 67, no. 7, ?pp. 1390-1394.

    [7] Lei Shu, Chun-Hua Qi, Kenneth F Galloway, et al., Observation of Single Event Burnout (SEB) in an SOI NLDMOSFET Using a Pulsed Laser, Microelectronic Reliability, 2021, 116: 113997.


    專利申請：

    獲獎及榮譽：