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當(dāng)前位置 首頁 人才隊(duì)伍
  • 姓名： 許曉欣
  • 性別： 女
  • 職稱： 研究員
  • 職務(wù)： 
  • 學(xué)歷： 博士
  • 電話： 010-82995923
  • 傳真： 
  • 電子郵件： xuxiaoxin@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào)

    簡(jiǎn)　　歷：

  • 教育背景

    2014/7-2017/6，中國科學(xué)院大學(xué)，微電子與固體電子學(xué)，博士?

    2011/6-2014/7，山東大學(xué)，集成電路工程，碩士?

    2007/9-2011/6，中國礦業(yè)大學(xué)，應(yīng)用物理系，學(xué)士
    工作簡(jiǎn)歷

    2022.11-今，中國科學(xué)院微電子研究所，研究員;?

    2020/07-2022.11，中國科學(xué)院微電子研究所，副研究員;?

    2017/07-2020.07，中國科學(xué)院微電子研究所，助理研究員

    社會(huì)任職：

    研究方向：

  • 新型非揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)，新型存儲(chǔ)器應(yīng)用技術(shù)；神經(jīng)形態(tài)計(jì)算器件與集成；神經(jīng)形態(tài)計(jì)算系統(tǒng)

    承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：

  • 1.中科院人才項(xiàng)目，中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)優(yōu)秀會(huì)員，2023.1-2025.12

    2.科技部攻關(guān)項(xiàng)目，嵌入式RRAM SoC芯片，子課題負(fù)責(zé)人，2022.1.1-2024.12?

    3.科技創(chuàng)新2030-重大項(xiàng)目：具有多時(shí)間尺度神經(jīng)動(dòng)力學(xué)的憶阻器件研究，課題負(fù)責(zé)人，2021.12-2026.11?

    4.中科院先導(dǎo)C項(xiàng)目：阻變存儲(chǔ)器芯片加工驗(yàn)證，課題負(fù)責(zé)人，2021.1-2023.12?

    5.市科技項(xiàng)目：基于阻變存儲(chǔ)器的陣列控制器芯片研發(fā)及示范應(yīng)用，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，2020.7-2022.7?

    6.自然科學(xué)基金-青年基金項(xiàng)目：阻變存儲(chǔ)器陣列可靠性的拖尾效應(yīng)研究，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，2019.1-2021.12

    代表論著：

  • 1.First demonstration of OxRRAM integration on 14nm FinFet platform and scaling potential analysis towards sub-10nm node, X. Xu, J. Yu, T. Gong, J. Yang, J. Yin, D. Dong, Q. Luo, J. Liu, Z. Yu, Q. Liu, H. Lv*, M. Liu, 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 24.3.1.
    2.40×retention improvement by eliminating resistance relaxation with high temperature forming in 28 nm RRAM chip, X. Xu, L. Tai, T. Gong, J. Yin, P. Huang, J. Yu, D. Dong, Q. Luo, J. Liu, Z. Yu, X. Zhu, X. Wu, Q. Liu, H. Lv*, M. Liu*, [C] IEEE International Electron Devices Meeting. 2018, 20.1.1.?
    3.A 128kb stochastic computing chip based on RRAM flicker noise with high noise density and nearly zero autocorrelation on 28-nm CMOS platform, T. Gong, Q. Hu, D. Dong, H. Jiang, J. Yang*, X. Xu*, X. Chen, Q. Luo, Q. Liu, S. Chung, H. Lyu, M. Liu, [C] IEEE International Electron Devices Meeting. 2021, 12-5.?
    4.3D Reservoir Computing with High Area Efficiency (5.12 TOPS/mm2) Implemented by 3D Dynamic Memristor Array for Temporal Signal Processing, W. Sun, W. Zhang, J. Yu, Y. Li, Z. Guo, J. Lai, D. Dong, X. Zheng, F. Wang, S. Fan, X. Xu*, D. Shang*, M. Liu; [C] IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2022: C25-2, 1-2.
    5.Fully CMOS compatible 3D vertical RRAM with self-aligned self-selective cell enabling sub-5nm scaling, X. Xu, Q. Luo, T. Gong, H. Lv*, S. Long, Q. Liu, S. S. Chung, J. Li, and M. Liu*. [C] IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2016: 1-2.
    6.Energy efficient and robust reservoir computing system using ultrathin (3.5 nm) ferroelectric tunneling junctions for temporal data learning, J. Yu, Y, Li, W. Sun, W. Zhang, Z. Gao, D. Dong, Z. Yu, Y. Zhao, J. Lai, Q. Ding, Q. Luo, C. Dou, Q. Zuo, Y. Zhao, S. Chen, R. Zou, H. Chen, Qiwei Wang, H. Lv, X. Xu*, D. Shang*, M. Liu, [C] IEEE Symposium on VLSI Technology. IEEE, 2021, T16-4.?
    7.A 14nm 100Kb 2T1R transpose RRAM with >150X resistance ratio enhancement and 27.95% reduction on energy-latency product using low-power near threshold read operation and fast data-line current stabling scheme, L. Wang, W. Ye, J. Lai, J. Liu, J. Yang, X Si, C. Huo, C. Dou*, X. Xu*(* corresponding author), Q Liu, D Shang, F. Zhang, H. Lv, M. Chang, H. Iwai, M. Liu, [C] IEEE Symposium on VLSI Technology, 2021, T0157.
    8.8-layers 3D vertical RRAM with excellent scalability towards storage class memory applications, Q. Luo, X. Xu, T. Gong, H. Lv*, D. Dong, H. Ma, P. Yuan, J. Gao, J. Liu, Z. Yu, .J. Li, S. Long, Q. Liu, M. Liu*, [C] IEEE International Electron Devices Meeting. 2017, 2.7.1.
    9.Endurance prediction based on hidden markov model and programming optimization for 28nm 1Mbit resistive random access memory chip, X. Zheng, L. Wu, D. Dong, J. Yu, J. Lai, W. Sun, X. Xue, B. Chen, W. Pang, X. Xu*, IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(6): 102-104.
    10.Performance Improvement of Memristor-Based Echo State Networks by Optimized Programming Scheme, J. Yu, W. Sun, J. Lai, X. Zheng, D. Dong, Q. Luo, H. Lv, X. Xu*, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(6): 866-868.

    專利申請(qǐng)：

  • 1.一種RRAM的讀取電路及讀取方法，許曉欣，賴錦茹，孫文絢，鄭旭，董大年，余杰，樊邵陽，ZL202211155750.7

    2.一種RRAM陣列的讀取電路及讀取方法，許曉欣，賴錦茹，孫文絢，鄭旭，董大年，余杰，樊邵陽，ZL202211155763.4

    3.一種阻變存儲(chǔ)器及其制作方法，許曉欣，孫文絢，余杰，董大年，賴錦茹，呂杭炳，ZL202110319822.6

    4.一種儲(chǔ)備池計(jì)算網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化方法及相關(guān)裝置，許曉欣，孫文絢，余杰，董大年，鄭旭，ZL202211009477.7

    5.神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)運(yùn)算系統(tǒng)，呂杭炳，許曉欣，羅慶，劉明，ZL201910083228.4

    6.用于雙極性阻變存儲(chǔ)器的選擇器件及其制備方法，劉明，羅慶，許曉欣，劉琦，呂杭炳，龍世兵，劉琦，ZL201610158468.2

    7.融合型存儲(chǔ)器，呂杭炳，羅慶，許曉欣，龔天成，劉明，ZL201910083230.1

    8.存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)、電壓偏置方法，呂杭炳，楊建國，許曉欣，劉明，ZL202010288743.9

    獲獎(jiǎng)及榮譽(yù)：

  • 1.2022年，獲得中國科學(xué)院青促會(huì)優(yōu)秀會(huì)員；

    2.2021年，獲得華為奧林帕斯先鋒獎(jiǎng)；
    3.2021年，獲得2021年度微電子所“先進(jìn)工作者”
    4.2019年，入選中國科協(xié)青年人才托舉工程；
    5.2018年，獲得中國科學(xué)院杰出科技成就獎(jiǎng)；
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