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當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 張青竹
  • 性別： 男
  • 職稱： 研究員
  • 職務(wù)： 
  • 學歷： 博士
  • 電話： 010-82995894
  • 傳真： 
  • 電子郵件： zhangqingzhu@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 先導中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2016.09-2020.07，北京有色金屬研究總院，博士　?

    2011.09-2014.07，貴州大學，碩士?

    2007.09-2011.07，湖北經(jīng)濟學院，本科?

    工作簡歷?

    2024.04-至今，中科院微電子研究所，研究員；

    2020.07-2024.03，中科院微電子研究所，副研究員；?

    2017.04-2020.06，中科院微電子研究所，助理研究員；?

    2014.07-2017.03，中科院微電子研究所，研究實習員；

    社會任職：

    研究方向：

  • 長期圍繞先進三維邏輯器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新與新工藝開展研究，具體方向包括：
    1. 環(huán)繞柵（GAA）邏輯器件與關(guān)鍵工藝；
    2. 晶體管器件三維堆疊技術(shù)；
    3. 新工藝與新結(jié)構(gòu)器件。

    承擔科研項目情況：

  • (1) 2024年12月至2027年11月，國家重點研發(fā)計劃項目，同質(zhì)垂直互補器件與在片 SRAM 三維集成技術(shù)研究，1700萬元，項目+課題負責人

    (2) 2025年1月至2027年12月，國家青年人才項目，120萬元，三維集成理論與器件特性研究，項目負責人

    (3) 2024-01至2026-12，中科院青促會優(yōu)秀會員人才項目,? 三維集成電路堆疊理論與集成技術(shù)研究，300萬元，項目負責人

    (4) 2022-10至2025-10，中國科學院戰(zhàn)略性先導科技專項(A類)， GAA和FDSOI器件與先進制造核心技術(shù)，9976萬元，課題負責人

    (5) 2024-1至2027-12，國家自然科學基金面上項目，圍柵納米片MOS晶體管原子級溝道界面處理及修復機制研究，48萬元，項目負責人

    (6) 2019-1至2022-12，國家自然科學基金-青年基金項目，5 nm節(jié)點以下超薄鉿基負電容材料稀土改性和三維架構(gòu)協(xié)同效應研究，26萬元，項目負責人

    (7) 2020-10至2022-09，北京市科技新星計劃, 多柵負電容MOS 器件和關(guān)鍵材料研究,? 40萬元, 項目負責人

    (8) 2022-10至2025-10, 高技術(shù)項目部, 硅納米線器件研制,? 100萬元, 項目負責人

    (9) 2023-6至2026-6, 高技術(shù)項目部, 單片3D單元設(shè)計與集成工藝實現(xiàn),? 1900萬元, 課題負責人

    ???（10）2016-1至2021-6，5nm先導技術(shù)研究, 2017-01至2020-12, 7400.0000萬元, 在研, 技術(shù)骨干

    代表論著：

  • (1)?Zhang Q., Zhang Y., Luo Y., et al. New structure transistors for advanced technology node CMOS ICs[J]. National Science Review, 2024, 11(3): nwae008.

    (2)?Jiang, R., Sang G., Zhang Q.* , et al. "High-Performance Gate-All-Around FETs with 100 Ω Parasitic Resistance and 965 μA/μm On-State Current using Quasi-Self-Aligned Landing Pads." IEEE Electron Device Letters, 2025, 46(1), 4-7.

    (3)?Jiang R J, Sang G Q, Cao L, … Zhang Q.*et al. Record 60.3 mV/dec Subthreshold Swing and> 20% Performance Enhancement in Gate-All-Around Nanosheet CMOS Devices using O3-based Quasi-Atomic Layer Etching Treatment Technique[J]. IEEE Electron Device Letters, 2025.

    (4)Zhang, Q.; Gu, J.; Xu, R.; Cao, L.; Li, J.; Wu, Z.; Wang, G.; Yao, J.; Zhang, Z.; Xiang, J.; He, X.; Kong, Z.; Yang, H.; Tian, J.; Xu, G.; Mao, S.; Radamson, H.H.; Yin, H.; Luo, J. Optimization of Structure and Electrical Characteristics for Four-Layer Vertically-Stacked Horizontal Gate-All-Around Si Nanosheets Devices.?Nanomaterials,?2021,?11, 646.

    (5)Cao L., Zhang Q.*, Yao J., et al. Investigation of fabricated CMOS fishboneFETs and treeFETs with strained SiGe nano-fins on bulk-Si substrate[J]. IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(9), 1396-1399.

    (6)Cao L., Zhang Q.*, Luo Y., et al. Novel channel-first fishbone FETs with symmetrical threshold voltages and balanced driving currents using single work function metal process[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(11): 5971-5977.

    (7)Zhang Q., Yin H., Meng L., et al. Novel GAA Si nanowire p-MOSFETs with excellent short-channel effect immunity via an advanced forming process [J]. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(4): 464 - 467.

    (8)Zhang Q., Yin H, Luo J, et al. FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin[C]. 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2016: 17.3. 1-17.3. 4.

    (9)Zhang Q., Tu H., Yin H., et al. Si nanowire biosensors using a FinFET fabrication process for real time monitoring cellular ion actitivies[C]. 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2018: 29.6. 1-29.6. 4.

    (10)Zhang Q., Tu H, Yin H, et al. Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays[J]. Microelectronic Engineering, 2018, 198: 48-54.

    (11)Zhang Q., Tu H, Gu S, et al. Influence of Rapid Thermal Annealing on Ge-Si Interdiffusion in Epitaxial Multilayer Ge0.3Si0.7/Si Superlattices with Various GeSi Thicknesses[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7(11): P671-P676.

    (12) Zhang Z., Xu G., Zhang Q.*, et al. FinFET with Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 [J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(3): 367-370.

    專利申請：

  • 已授權(quán)專利

    (1)???? 張青竹; 顧杰; 張兆浩; 殷華湘; 改善寄生溝道效應的NS-FET及其制備方法 , 2020-10-27, 中國, CN202011167515.2.???

    (2)???? 顧杰; 張青竹; 張兆浩; 殷華湘; 改善寄生溝道效應的NS-FET及其制備方法 , 2020-10-27, 中國, CN202011167512.9.????

    (3)???? 張青竹; 張兆浩; 魏千惠; 屠海令; 殷華湘; 魏峰; 趙鴻濱; 王文武; 一種稀土摻雜鉿基鐵電材料、制備方法及半導體器件, 2019-07-25, 中國, CN201910675057.4.????

    (4)???? 張兆浩; 張青竹; 蔡豫威; 殷華湘; 應變技術(shù)增強負電容器件的結(jié)構(gòu)及制作方法和電子設(shè)備, 2019-08-22, 中國, CN201910780831.8.????

    (5)???? 張青竹; 魏千惠; 魏峰; 張曉; 趙春華; 一種基于FinFET制造工藝的硅納米線細胞傳感器, 2018-12-27, 中國, CN201811617497.6.????

    (6)???? 張青竹; 殷華湘; 閆江; 吳振華; 周章渝; 秦長亮; 張嚴波; 張永奎; 半導體器件及其制作方法, 2017-04-13, 中國, ZL201710243708.3.???

    (7)???? 張青竹; 殷華湘; 閆江; 一種形成鰭的方法及結(jié)構(gòu), 2015-09-09, 中國, CN201510572091.0.???

    (8)???? 張青竹; 殷華湘; 閆江; 半導體器件制造方法, 2015-10-16, 中國, CN201510674513.5.????

    (9)???? 張青竹; 殷華湘; 閆江; 李俊峰; 楊濤; 劉金彪; 徐秋霞; 一種柵極及其形成方法, 2015-01-29, 中國, CN201510048272.3.???

    (10) 張青竹; 趙利川; 楊雄錕; 殷華湘; 閆江; 李俊峰; 楊濤; 劉金彪; 一種金屬硅化物的形成方法, 2015-03-13, 中國, CN201510112597.3.???


    獲獎及榮譽：

  • 2024年獲“國家重點研發(fā)計劃”首席科學家

    2024年獲“國家級青年人才”

    2023年獲“中國科學院青年促進會優(yōu)秀會員”

    2020年獲 “北京市科技新星”

    2020年獲 “中國電子學會優(yōu)秀博士論文”

    2022年獲第六屆全國大學生集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽全國總決賽一等獎“優(yōu)秀指導老師”

    2016年、2022年和2024年獲中國科學院微電子研究“先進工作者”