教育背景
2008.10-2011.9 東京大學(xué) 材料工程系 博士?
2006.9-2008.9 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 材料物理與化學(xué)系 碩士?
2002.9-2006.8 哈爾濱工業(yè)大學(xué) 材料物理與化學(xué)系 學(xué)士2023.11-至今? ? 中科院微電子研究所 研究員，教育處長?
2022.1-2022.12 中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 副主任?
2020.7-2023.11 中國科學(xué)院微電子研究所 研究員，課題組長?
2015.8-2020.7 中國科學(xué)院微電子研究所 副研究員，課題組長?
2015.4-2015.7 東京大學(xué) 材料工程系 公派訪問學(xué)者?
2013.10-2015.3 中國科學(xué)院微電子研究所 副研究員?
2011.10-2013.9 中國科學(xué)院微電子研究所 助理研究員1.書系Frontiers in Semiconductor Technology (Taylor & Francis), 主編 (2021-至今)
2.國際固態(tài)薄膜會(huì)議(IWDTF)，程序委員會(huì)委員(2020-至今)
面向3D-DRAM的氧化物晶體管器件、半導(dǎo)體器件可靠性?
學(xué)生指導(dǎo)：
長期招收集成電路相關(guān)領(lǐng)域(微電子、物理、材料)研究生
指導(dǎo)學(xué)生多人次獲國際論文獎(jiǎng)、院長優(yōu)秀獎(jiǎng)、研究生國家獎(jiǎng)學(xué)金、赴世界著名大學(xué)深造等
1.?中國科學(xué)院青年促進(jìn)會(huì)優(yōu)秀會(huì)員項(xiàng)目，(2022-2024)，在研，主持?
2.?國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“超寬變頻、高可靠性的LTPO顯示驅(qū)動(dòng)電路”-課題, (2022-2025), 在研，主持
3.?基金重點(diǎn)項(xiàng)目，碳管MOSFET界面，(2021-2024), 在研，主持?
4.?國家自然科學(xué)基金面上基金項(xiàng)目(62174176)，基于低溫原子氧化的SiC MOSFET低界面態(tài)柵氧制造技術(shù)研究，（2022-2025），在研，主持?
5.?國家自然科學(xué)基金面上基金項(xiàng)目(61974159)，基于有效離子半徑理論的SiC MOSFET柵介質(zhì)與界面配位調(diào)控研究，（2020-2023），在研，主持?
6.?中國科學(xué)院科研儀器研制項(xiàng)目（YJKYYQ20200039），低界面態(tài)、高可靠性SiC MOSFET柵氧高壓微波等離子體生長系統(tǒng)，（2021-2022），在研，主持?
7.?基金項(xiàng)目，柔性發(fā)電技術(shù)，(2020-2022), 在研，主持?
8.?中國科學(xué)院青年促進(jìn)會(huì)項(xiàng)目，(2017-2020)，已結(jié)題，主持?
9.?中國工程物理研究院聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目3項(xiàng)，(2016-2020) ，已結(jié)題，主持?
10. ASIC國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放課題，仿生神經(jīng)元器件及細(xì)胞生物電行為模擬(2018-2019) ，已結(jié)題，主持?
11. 中國科學(xué)院重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放課題，二元系鐵電氧化物極化行為研究，(2015-2016) ，已結(jié)題，主持?
12. 國家自然科學(xué)基金青年基金項(xiàng)目(61204103) ，Ge-MOS 技術(shù)中鑭系復(fù)合高k介質(zhì)與GeO2/Ge 界面調(diào)控的研究，（2013-2015），已結(jié)題，主持?
13. 中國科學(xué)院人才基金重點(diǎn)項(xiàng)目-基于光子晶體技術(shù)的硅基鍺紅外探測器研究（2013-2014），已結(jié)題，主持???
參與科研項(xiàng)目情況：?
1.國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(2016YFA0202304)課題“二維原子晶體的材料制備和器件驗(yàn)證”（2016-2021）?
2.國家973項(xiàng)目（2010CB327500）課題“超高頻化合物基CMOS器件和電路研究”（2010-2014）?
3.國家973項(xiàng)目（2011CBA00600）課題“超低功耗高性能集成電路器件與工藝基礎(chǔ)研究”（2011-2015）?
4.國家科技重大專項(xiàng)課題（2011ZX02708-003）“高遷移率CMOS新結(jié)構(gòu)器件與工藝集成研究”（2011-2014）?
發(fā)表論文120+篇，出版學(xué)術(shù)專著2部，譯著1部
1.?J. Wang, Z. Bai, K. Zhang, Z. Wu, D. Geng, Y. Xu, N. You, Y. Li, G. Yang, L. Li*, S. K. Wang*, M. Liu, Ge-
doped In2O3: First Demonstration of Utilizing Ge as Oxygen Vacancy Consumer to Break the?
Mobility/Reliability Tradeoff for High Performance Oxide TFTs, VLSI Symp, (2024) T12.2.
2.?J. Wang, K. Zhang, Y. Li, N. You, Y. Xu, L. Li, S.-K. Wang*, Effect of Atmosphere Dependent Annealing?
on?the Electrical Characteristics of a-In2O3 Thin-film Transistors, IEEE Trans. Electron Device, 71, 1932?
(2024)
3.?N. You, X. Liu, Q. Zhang, Z. Wang, J. Wang, Y. Xu, X. Li, Y. Guo, S.-K. Wang*, Enhanced quality of?
Al2O3/SiC gate stack via microwave plasma annealing, Rare Metals,（2024）?
https://doi.org/10.1007/s12598-024-02781-y
4.?N. You, Q. Zhang, J. Wang, Y. Xu, K. Zhang, Y. Li, S.-K. Wang*, Utilizing High-Pressure Microwave?
Plasma Oxidation for Advanced SiC MOS, IWDTF2023 (Awarded the Young Researcher Award: N. You)
5.?Q. Zhang, N. You*, P. Liu, J. Wang, Y. Xu, S.-K. Wang*, Study of defects distribution in SiO2/SiC with?
plasma oxidation and post oxidation annealing, Applied Surface Science, 610, 155500 (2023).
6.?S. K. Wang, Kinetic studies in GeO2/Ge system, CRC Press, Taylor Francis Publisher, 2022. (專著)
7.?S. K. Wang, X. L. Wang, MOS interface physics, process and characterization, CRC Press, Taylor?
Francis Publisher, 2021. (專著)
8.?N. N. You, X. Y. Liu, Y. Bai, P. Liu, Q. Zhang, Y. Zhang, S.-K. Wang*, Oxidation Kinetics of SiC in
Microwave Oxygen Plasma, Applied Surface Science, 562, 150165 (2021).
9.?Y. Xu, S. K. Wang*, P. L. Yao, Y. H. Wang, D. P. Chen, An air-plasma enhanced low-temperature wafer?
bonding method using high-concentration water glass adhesive layer, Applied Surface?
Science500,144007?(2020)
10.?S. K. Wang*,?Q. Huang, J. Zhao, Y. Zhou, X. L. Zhao, P. L. Yao, X. Y. Liu, X. L. Liang,?Electro-
chemiresistive Functionalization of SWCNT-TFT by PCz and Its Electronic Hourglass Application with Zero-
static Power Consumption, ACS Appl. Energy Mater., 2(11), 8253 (2019).
11.?Z. Y. Peng,?S. K. Wang*, Y. Bai, Y. D. Tang, X. M. Chen, C. Z. Li, K. A. Liu, X. Y. Liu*, High Temperature?
1MHz Capacitance-Voltage Method for Evaluation of Border Traps in 4H-SiC MOS System, J. Appl. Phys.,?
123, 135302 (2018).
12.?S.-K. Wang*, B. Sun, M.-M. Cao, H.-D. Chang, Y.-Y. Su, H.-O. Li, and H.-G. Liu*, Modification of?
Al2O3/InP interfaces using sulfur and nitrogen passivations, J. Appl. Phys., 121, 184104 (2017).
13.?S. K. Wang*,?Germanium and III-Vs for future logic (Invited),?Comp. Semi. Int. 2017, Brussels Belgium,?
(March 7-8, 2017)
14.?S. K. Wang*, H. G. Liu, Passivation and Characterization in High-k/III-V Interfaces (Book chapter), in?
book entitled Nanoscale Semiconductor Devices, MEMS, and Sensors: Outlook and Challenges, Springer?
Publisher, 2017.
15.?S. K. Wang*, Turbo charging the channel (Invited), Compound Semiconductor, 1, 22-30 (2016).
16.?S. K. Wang*, M. Cao, B. Sun, H. Li, H. G. Liu, Reducing the interface trap density in Al2O3/InP stacks by
low-temperature thermal process, Appl. Phys. Express 8, 091201 (2015).
17.?X. Yang,?S. K. Wang*, X. Zhang, B. Sun, W. Zhao, H. D. Chang, Z. H. Zeng, H. G. Liu*, Al2O3/GeOx?
gate stack on germanium substrate fabricated by in situ cycling ozone oxidation method, Appl. Phys. Lett.,?
105, 092101 (2014).
18.?S. K. Wang, H.-G. Liu*, and A. Toriumi, Kinetic Study of GeO Disproportionation into GeO2/Ge System?
Using X-ray Photoelectron Spectroscopy, Appl. Phys. Lett., 101, 061907 (2012).
19.?S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Kinetic Effects of Oxygen Vacancy?
Formed by GeO2/Ge Interfacial Reaction, IWDTF 2011 (Awarded the Young Researcher Award).
20.?S. K. Wang*, K. Kita, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Isotope tracing study of GeO desorption
mechanism from GeO2/Ge stack using 73Ge and 18O, Jpn J. Appl. Phys., 50(4), 04DA01 (2011).
21.?S. K. Wang*, K. Kita, C. H. Lee, T. Tabata, T. Nishimura, K. Nagashio, and A. Toriumi, Desorption
kinetics?of GeO from GeO2/Ge structure, J. Appl. Phys., 108, 054104 (2010).
22.?K. Kita*, S. K. Wang, M Yoshida, C. H. Lee, K. Nagashio, T. Nishimura, A. Toriumi, Comprehensive ?
study?of GeO2 oxidation, GeO desorption and GeO2-metal interaction -understanding of Ge processing?
kinetics for perfect interface control-, Tech. Dig. IEDM, 29.6, 693 (2009).
100+項(xiàng)專利申請，授權(quán)50+項(xiàng)，對外許可8項(xiàng)（含美國專利6項(xiàng))?
代表授權(quán)發(fā)明專利?
1.Shengkai Wang, et al., Composite Gate Dielectric Layer Applied to Group III-V Substrate and Method for Manufacturing the same, 2019.1.29, US 15/539,597?
2.Shengkai Wang, et al., Dual-Gate PMOS Field Effect Transistor With InGaAs Channel, 2020.2.26，US 15/539,478?
3.王盛凱 等，腔式多層膜駐極體發(fā)電機(jī)結(jié)構(gòu)及其制備方法、供能系統(tǒng)，2020.6.19，中國，ZL 201910236299.3?
4.王盛凱 等，納米發(fā)電機(jī)倍頻輸出結(jié)構(gòu)及供能器件，2020.4.21，中國，ZL 201810263391. 4?
5.王盛凱 等,?一種鍺納米線疊層結(jié)構(gòu)的制作方法，2016.8.17，中國，ZL 201310741585.8?
1.?2021, 中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)優(yōu)秀會(huì)員?
2.?2020, 北京市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng) “高電流密度SiC電力電子器件”?
3.?2017, 中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)會(huì)員?
4. 2011，Young Researcher Award, IWDTF, Japan.?
人才隊(duì)伍