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當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名: 尹明會
  • 性別: 女
  • 職稱: 研究員
  • 職務: 
  • 學歷: 博士
  • 電話: 
  • 傳真: 
  • 電子郵件: yinminghui@ime.ac.cn
  • 所屬部門: 中國科學院EDA中心
  • 通訊地址: 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡  歷:

  • 教育背景?

    2001-2005?? 四川大學微電子學專業(yè)?? 獲得學士學位?

    2005-2008?? 四川大學微電子與固體電子學專業(yè)?? 獲得碩士學位?

    2006-2008?? 中國科學院微電子研究所?? 聯(lián)合培養(yǎng)?

    工作簡歷?

    2008.09-2010.09,中國科學院微電子研究所?研究實習員

    2010.09-2017.04,中國科學院微電子研究所?助理研究員

    2017.04-2024.12,中國科學院微電子研究所?副研究員

    2024.12-至今,中國科學院微電子研究所??研究員

    ?

    社會任職:

    研究方向:

  • 納米芯片設計方法學及集成電路設計自動化:PDK/標準單元庫/IP開發(fā)、EDA應用技術、集成電路設計技術、納米芯片設計方法學等。

    承擔科研項目情況:

  • 作為課題組長,主持和參與了國家科技重大專項、國家863項目、北京市科技計劃課題、中科院先導A類項目、橫向企業(yè)合作,以及國際合作項目等近20項。

    1.?低功耗碳基處理器芯片版圖設計與驗證, 課題負責人, 高新技術領域重點項目,2023.06--2028.06

    2.?250nm碳基集成電路器件級建模及電路設計, 項目負責人, 高新技術領域重點項目,2021.10--2024.10

    3.?碳納米管晶體管多層級模型及PDK構建方法研究, 課題負責人, 高新技術領域重點項目,2022.10--2026.10

    4.?集成電路基礎器件仿真軟件與系統(tǒng)集成設計, 參與, 中科院A類先導專項, 2022.11--2025.10


    代表論著:

  • 發(fā)表核心期刊論文

    [1] Minghui Yin, Haitao Xu*, Zhiqiang Li*, et al. Wafer-scale carbon-based CMOS PDK compatible withsilicon-based VLSI design flow,Nano Research,?2024, 17(8): 7557-7566.

    [2] Minghui Yin*, Zhiqiang Li*, et al. Power, performance, and area evaluation across 180nm-28nm technology nodes based on benchmark circuits, IEICE, Vol.21, No.9, 1-6, 2024.

    [3] Yiying Liu, Minghui Yin*, Zhiqiang Li*, et al.?Virtual_N2_PDK: A Predictive Process Design Kit for 2-nm Nanosheet FET Technology, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, 2025.

    [4] Minghui Yin, Lingli Zhao and Shouguo Wang, Atmospheric Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition of Borophosphosilicate Glass Films, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), Vol.47, No.3, 2008, pp.1735–1739.

    [5] Zhao Bo, Minghui Yin*, Design of a variable precision CORDIC coprocessor for RISC-V architecture based on FinFET process, IEICE Vol.20, No.19, 1-5, 2023.

    [6] Zihao Yang, Minghui Yin*, Design of a high performance CNFET 10T SRAM cell at 5nm technology node, IEICE Vol.20, No.12, 1-6, 2023.

    [7] Lingli Zhao , Xiaojin Duan , Minghui Yin*, et al. Etching Si Wafer Using Atmospheric Pressure RF Cold Plasma Jet[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007.

    [8] Zhaoqing Wang, Minghui Yin, et al. Analysis and characterization of layout dependent effect for advance FinFET circuit design, Microelectronics Journal, 125 (2022) 105449.

    [9] Yajie Zou, Hongwei Liu, Yiying?Liu,Minghui Yin, et al. A Compact Model for Carbon Nanotube Field Effect Transistors Incorporating Temperature Effects and Application for Operational Amplifier Design[J]. ECS JSS, 2024, 13(4): 041001.

    [10] Jianglin Luo, Zhengyong Zhu, Minghui Yin, Chao Zhao, et al. Dual-gate 2T0C Gain Cell for Multi-bit Input Vector-matrix Multiplication In-Memory Computing,IEEE CSTIC 2025, march 24-25.

    9

    專利申請:

  • 1. 一種標準單元庫的創(chuàng)建方法及系統(tǒng),授權號:ZL201610721546.5

    2. 一種標準單元庫全模型的測試方法及系統(tǒng)裝置,授權號:ZL201810685359.5

    3. 一種工藝設計工具包的測試方法及裝置,授權號:ZL201710542541.0

    4. 差分電路及其參數(shù)化單元的生成方法及生成系統(tǒng),授權號:201510394211.2

    5. 一種增強半導體金屬層可靠性的版圖生成方法及系統(tǒng),授權號:ZL201210359731.6

    6. 一種實現(xiàn)冗余金屬填充模板的方法及其系統(tǒng),授權號:ZL201110391549.4

    7. 一種基于Cell的層次化光學鄰近效應校正方法,授權號:ZL201110082471.8

    8. 參數(shù)化單元的實現(xiàn)方法及由該參數(shù)化單元構成的系統(tǒng),授權號:ZL201110137674.2

    9. 對精簡標準單元庫進行優(yōu)化的方法,授權號:ZL201110082736.4

    10. 軟著:版圖依賴效應評估器 [簡稱:LDE評估器],登記號2022SR0986123,2022.05.27


    獲獎及榮譽:

  • 2018年北京市科學技術獎三等獎 (排名第二)