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當(dāng)前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 王鑫華
  • 性別： 男
  • 職稱： 研究員
  • 職務(wù)： 所黨委委員 高頻高壓中心主任
  • 學(xué)歷： 博士研究生
  • 電話： 010-82995681
  • 傳真： 
  • 電子郵件： wangxinhua@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 高頻高壓器件與集成研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2003.9—2007.7? 南京理工大學(xué)? ?電子科學(xué)與技術(shù)? ? 學(xué)士學(xué)位

    2007.9—2012.7? 中國科學(xué)院微電子研究所? 微電子與固體電子學(xué)? 博士學(xué)位

    工作簡歷

    2012.10—2017.4? 中國科學(xué)院微電子研究所? 助理研究員，所團(tuán)委委員

    2017.4—2022.9? 中國科學(xué)院微電子研究所? 副研究員

    2022.9-至今? ? ?中國科學(xué)院微電子研究所? 研究員

    ? ? 其中，2017.5起所團(tuán)委副書記，2018.12起高頻高壓中心副主任，2021.10起高頻高壓中心主任，黨委委員。

    社會任職：

  • 中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會會員

    中國電力企業(yè)聯(lián)合會電力集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會委員

    研究方向：

  • III族氮化物微波功率器件?

    化合物半導(dǎo)體界面物理與異質(zhì)集成?

    承擔(dān)科研項目情況：

  • 1.國家高層次青年拔尖人才項目，項目負(fù)責(zé)人；

    2.國家重大科研儀器研制項目，“新型異質(zhì)材料常溫集成系統(tǒng)”項目，任務(wù)負(fù)責(zé)；

    3.高新技術(shù)領(lǐng)域重點(diǎn)項目，“材料與集成”，項目負(fù)責(zé)人；

    4.高新技術(shù)領(lǐng)域工程項目，“AlN輔助生長器件”，項目負(fù)責(zé)人；

    5.中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會會員項目；

    6.中科院科技服務(wù)網(wǎng)絡(luò)（STS）區(qū)域重點(diǎn)項目，“硅基氮化鎵增強(qiáng)型電力電子核心器件與產(chǎn)業(yè)化”項目，項目負(fù)責(zé)人；

    7.國家重大科研儀器研制項目，“新型GaN電子器件低界面態(tài)介質(zhì)生長系統(tǒng)”項目，核心骨干（執(zhí)行負(fù)責(zé)人）；

    8.國家自然科學(xué)基金青年項目，“兼容CMOS工藝的Ga2O3輔助GaN-to-Si異質(zhì)鍵合技術(shù)及機(jī)理研究”項目，項目負(fù)責(zé)人；


    代表論著：

  • (1)Xinhua Wang; et al. Cost-Effective 1200 V SiC MOSFETs on a Novel 150 mm SiC Engineered Substrate with Dummy-Grade Material Reuse, 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, 2024-12-7至2024-12-11

    (2)Tian, Ye, Gao, Runhua; Wang, Xinhua Wang*, Xinhua; et al. Wafer-scale N-polar GaN heterogeneous structure fabricated by surface active bonding and laser lift-off, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2024, 1006: 176253

    (3)Kexin Deng, Xinhua Wang*, et al. Effective suppression of deep interface states and dielectric trapping in SiNx/GaN metal-insulator-semiconductor structures by a SiOxNy interfacial layer grown by plasma-enhanced atomic layer deposition.?

    Applied Surface Science, vol.607, p. 154937, 2023

    (4)Xinhua Wang, et al. Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing. ACS Appl. Mater. Interfaces, vol. 13, no. 6, pp. 7725–7734, 2021.

    (5)Kexin Deng?, Xinhua Wang?*, et al. Suppression and characterization of interface states at low-pressure-chemical-vapor-deposited SiNx/III-nitride heterostructures. Applied Surface Science, vol. 542, p. 148530, 2021.

    (6)Xinyu Liu+, Xinhua Wang+,*, et al. “Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,” ACS Appl. Mater. Interfaces，10(25), pp. 21721–21729 , 2018.

    (7)Xinhua Wang, et al. Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer. IEEE Electron Device Letter, 36(7), p.666, 2015


    專利申請：

  • (1)王鑫華; 劉新宇; 高潤華; 邢湘杰; 黃森; 魏珂 ; 一種薄膜半導(dǎo)體與金剛石復(fù)合襯底及其制造方法, 2023-10-20, 中國, 202310960195.3

    (2) 王鑫華; 邢湘杰; 高潤華; 劉新宇; 黃森; 魏珂 ; 一種基于臨時載體的SiC/金剛石復(fù)合襯底制造方 法, 2023-10-03, 中國, 202310960260.2

    ?(3) 王鑫華; 劉新宇; 黃森; 蔣浩杰; 魏珂; 殷海波; 樊捷 ; 一種匹配氮化鎵材料的低界面態(tài)復(fù)合介質(zhì)結(jié) 構(gòu)及其制備方法, 2020-4-30, 中國, 202010369832.6


    獲獎及榮譽(yù)：

  • 2012年中國科學(xué)院院長優(yōu)秀獎?
    2015年度微電子研究所十佳先進(jìn)工作者?
    2020年中國科學(xué)院優(yōu)秀共青團(tuán)干部?
    2022年中國儀器儀表學(xué)會技術(shù)發(fā)明二等獎
    2022年中國電子學(xué)會自然科學(xué)二等獎