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當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 王艷
  • 性別： 女
  • 職稱： 副研究員
  • 職務： 
  • 學歷： 博士
  • 電話： 010-82995582
  • 傳真： 010-82995583
  • 電子郵件： wangyan@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 微電子器件與集成技術重點實驗室
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    2008.04-2011.07，蘭州大學&中國科學院微電子研究所聯(lián)合培養(yǎng)，博士

    2006.09-2008.04，蘭州大學，物理科學與技術學院，博士

    2002.09-2006.07，蘭州大學，物理科學與技術學院，本科

    工作簡歷

    2016.01-至今，中國科學院微電子研究所，微電子器件與集成技術重點實驗室，副研究員

    2012.10-2016.01，中國科學院微電子研究所，納米加工與新器件集成技術實驗室，助理研究員

    社會任職：

    研究方向：

  • 納米加工、新型非揮發(fā)存儲技術

    承擔科研項目情況：

  •  

    代表論著：

  • 1. Yan Wang, Qi Liu, Shibing Long, Wei Wang, QinWang, Manhong Zhang, Sen Zhang, Yingtao Li, Qingyun Zuo, Jianhong Yang and Ming Liu, “Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications”, Nanotechnology, 21(4): 045202, 2009.

    2. Yan Wang, Hangbing Lv, Wei Wang, Qi Liu, Shibing Long, Qin Wang, Zongliang Huo, Sen Zhang, Yingtao Li, Qingyun Zuo, Wentai Lian, Jianhong Yang, Ming Liu, “Highly stable radiation-hardened resistive-switching memory”, IEEE Electron Devices Lett., 31(12): 1470-1472, 2010.

    3. Fei Huang, Yan Wang, Xiao Liang, Jun Qin, Yan Zhang, Xiufang Yuan, Zhuo Wang, Bo Peng, Longjiang Deng, Qi Liu, Ming Liu, “HfO2 Based Highly Stable Radiation-Immune Ferroelectric Memory”, IEEE Electron Devices Lett. 38(3): 330-333, 2017

    4. Yan Wang，Qi Liu, Hangbing Lv, Shibing Long, Sen Zhang, Yingtao Li, Wentai Lian, Jianhong Yang and Ming Liu, “CMOS compatible nonvolatile memory devices based on SiO2/Cu/SiO2 multilayer films” Chinese Phys. Lett. 28 077201.

    5. Yan Wang, Qi Liu, Hangbing Lv, Shibing Long, Wei Wang, Yingtao Li, Sen Zhang, Wentai Lian, Jianhong Yang, Ming Liu, “Improving the electrical performance of resistive switching memory using doping technology” Chinese Science Bulletin, 2012, vol.57:1235-1240.

    專利申請：

    獲獎及榮譽：

  • “氧化物阻變存儲器機理與性能調(diào)控” 2016年國家自然科學獎二等獎（第五完成人）

    “阻變存儲器機理與性能調(diào)控” 2015年中國電子學會科學技術獎一等獎（第五完成人）

    “阻變存儲器及集成的基礎研究” 2014年北京市科學技術獎二等獎