亚洲无精品一区二区在线观看-少妇无码一区二区三区免费-AAAAAA级裸体美女毛片-99桃花在线无码国产毛片视频-亚洲一区二区三区18-精品久久婷婷免费视频-在线观看免费欧美精品-久久国产丝袜高清视频-欧美熟妇极品在线看片

當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名: 李博
  • 性別: 男
  • 職稱: 研究員
  • 職務: 主任
  • 學歷: 博士
  • 電話: 010-82995750
  • 傳真: 010-82995836
  • 電子郵件: libo3@ime.ac.cn
  • 所屬部門: 抗輻照器件技術重點實驗室
  • 通訊地址: 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡  歷:

  • 教育背景:?

    2008年8月–2012年5月,法國里昂國立應用科學院,電力電子學與微電子學,博士?

    2005年9月–2008年1月,北京交通大學,微電子學與固體電子學,碩士?

    2001年9月–2005年7月,北京交通大學,電子工程系,學士?

    工作簡歷:?


    2023.7-至今,中國科學院微電子研究所,研究員,抗輻照器件技術重點實驗室主任

    2022.4-2023.7,中國科學院微電子研究所,研究員,抗輻照器件技術重點實驗室重組工作組組長

    2020.11-2022.4,中國科學院微電子研究所,研究員,硅器件中心副主任

    2020.8-2020.11,中國科學院微電子研究所,研究員

    2016.1-2020.8,中國科學院微電子研究所,副研究員

    2012.10-2016.1,中國科學院微電子研究所,助理研究員

    ?

    社會任職:

  • 中國科學院可靠性保障中心,副主任

    中國科學院元器件專家組,專家

    中國航天理事會,理事

    研究方向:

  • 半導體器件可靠性研究

    承擔科研項目情況:

  • 1.

    1、國家自然科學基金,聯合基金重點支持項目,“空間高低溫交變環(huán)境下深亞微米集成電路老化失效機理與模型研究”,項目負責人,2023年至2026年;

    2、國家自然科學基金,面上項目,“堆疊納米線圍柵器件的輻射損傷機理及在線增強自修復機制研究”,項目負責人,2019年至2022年;

    3、國家自然科學基金,合作交流項目,“納米級半導體器件的綜合輻射效應研究”,項目負責人,2020年至2021年。

    國家自然科學基金面上項目,61874135,堆疊納米線圍柵器件的輻射損傷機理及在線增強自修復機制研究,2019-012022-1266萬元,在研,主持?

    2. 國家自然科學基金委員會與俄羅斯基礎研究基金會合作交流項目,62011530040,納米級半導體器件的綜合輻射效應研究,2020-012021-1214.46萬元,在研,主持?

    3. 中國科學院特別交流計劃項目,新型半導體器件的綜合輻射效應研究,2019-122021-1210萬元,在研,主持 ?

    4. 中國科學院微電子所所長基金,新一代材料與器件,2019-012019-12150萬元,已結題,主持?

    5. 中國科學院青年創(chuàng)新促進會會員,20161132016-012019-1280萬元,已結題,主持?

    6. 中國科學院基礎前沿科學研究計劃從01原始創(chuàng)新項目,ZDBS-LY-JSC015,晶圓級單晶二維層狀半導體材料制備及相關高性能異質結構器件集成,2019-092024-08300萬元,在研,參與?

    7. 國家自然科學基金委員會中德科學中心項目,GZ1598,工業(yè)工程中的不確定性量化問題,2019-12,已結題,參與?

    8. 中國國家留學基金委,中法“蔡元培”交流合作項目,2014-012016-1210萬元,已結題,參與?

    代表論著:

  • 期刊論文?

    1、Maguang Zhu, Peng Lu, Xuan Wang, Qian Chen, Huiping Zhu, Yajie Zhang, Jianshuo Zhou, Haitao Xu, Zhengsheng Han, Jianwei Han, Rui Chen,* Bo Li,* Lian-Mao Peng, and Zhiyong Zhang*, "Ultra-Strong Comprehensive Radiation Effect Tolerance in Carbon Nanotube Electronics." SMALL 2022.

    2、Peng Lu, Maguang Zhu, Peixiong Zhao, Chen Fan, Huiping Zhu, Jiantou Gao, Can Yang, Zhengsheng Han, Bo Li,* Jie Liu,* and Zhiyong Zhang*,"Heavy Ion Displacement Damage Effect in Carbon Nanotube Field Effect Transistors." ACS Appl. Mater. Interfaces 2023.

    3、Yang Huang, Zhengshen Han, Fanyu Liu, Bo Li, Binhong Li, Jiantou Gao, Gang Zhang, Lei Wang, Duoli Li, Jian Jiao, Fazhan Zhao, and Tianchun Ye, "Total Ionizing Dose Radiation Effects Hardening Using Back-Gate Bias in Double-SOI Structure." IEEE Transactions on Nuclear Science, 2022.

    4、Xu Zhang, Fanyu Liu, Bo Li, Can Yang, Yang Huang, Peng Lu, Siyuan Chen, Jinxing Cheng, Qingbo Wang, Ai Yu, Tiexin Zhang, Zhongshan Zheng, Qingzhu Zhang, Huaxiang Yin, and Jiajun Luo. "Comparison of Total Ionizing Dose Effects in SOI FinFETs Between Room and High Temperature." IEEE Transactions on Nuclear Science, 2022.

    5、Yuchong Wang, Fanyu Liu, Bo Li, Binhong Li, Yang Huang, Can Yang, Junjun Zhang, Guoqing Wang, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, and Konstaitin O. Petrosyants. "Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology." IEEE Transactions on Nuclear Science, 2021.

    6、Yuchong Wang, Siyuan Chen, Fanyu Liu, Jiantou Gao, Bo Li*, Binhong Li, Yang Huang, Jiangjiang Li, Chunlin Wang, Linfei Wang, Pengyu Cui, Shanshan Ma, Yiru Liao, Mengting Chen, Tianqi Wang, Jianli Liu, Chuan Huang, Peixiong Zhao, Jie Liu, Zhengsheng Han and Tianchun Ye, Mitigation of Single-Event Upset Sensitivity for 6T SRAM in a 0.18 μm DSOI technology Considering High LET Heavy Ions Irradiation, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2023.

    7、Zexin Su, Bo Li*, Weidong Zhang, Jiantou Gao, Xiaohui Su, Gang Zhang, Hongyu Ren, Peng Lu, Fanyu Liu, Fazhan Zhao, Shi Li, Reliability Improvement on SRAM Physical Unclonable Function (PUF) Using an 8T Cell in 28 nm FDSOI, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022.

    8、Jianying Dang, Xiaowu Cai, Longli Pan, Liang Shan,Yu Lu, Yafei Xie, XuPeng Wang, Shiping Wang, and Bo Li*, A Novel Reliability-enhanced Dual Over-temperature Protection Circuit with Delayed Thermal Restart for Power ICs, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, 2023.

    9、Yun Tang, Lei Wang, Xiaowu Cai, Peng Lu, and Bo Li*, Investigation on performance degradation mechanism of GaN p–i–n diode under proton irradiation, Applied Physics Letters, 2023.

    10、Yun Tang, Lei Wang, Huiping Zhu, Xiaowu Cai, Xuewen Zhang, Jiantou Gao, Ningyang Liu, Xingji Li, Jianqun Yang, Fazhan Zhao, and Bo Li*, Evolution and Mechanism of P-GaN Films Under Proton Irradiation and Its In?uence on Electronic Device, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022.

    專利申請:

  • 1. 宿曉慧,李博,李彬鴻,黃楊,李多力,卜建輝,韓鄭生,羅家俊,一種SOI器件結構及其制備方法,201910011391.X?

    2. 宿曉慧,李博,李彬鴻,黃楊,李多力,卜建輝,韓鄭生,羅家俊,一種SOI器件結構及其制備方法,201910011406.2?

    3. 宿曉慧,李博,李彬鴻,黃楊,李多力,卜建輝,韓鄭生,羅家俊,一種SOI器件結構及其制備方法,201910011393.9?

    4. 徐子軒,李博,劉海南,羅家俊,帶隙基準電壓產生裝置,201711138757.7?

    5. 徐子軒,李博,趙博華,劉海南,羅家俊,一種抗輻射帶隙基準電路的加固方法,201711137437.X?

    6. 王磊,李博,趙發(fā)展,韓鄭生,羅家俊,劉新宇,一種單光子光源的制備方法及元器件,201811423197.4?

    獲獎及榮譽:

  • 中國計量測試學會科學技術進步獎,二等獎(1/6)

    中國科學院青年創(chuàng)新促進會,優(yōu)秀會員(1/1)