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當(dāng)前位置 首頁(yè) 人才隊(duì)伍
  • 姓名： 楊濤
  • 性別： 男
  • 職稱： 正高級(jí)工程師
  • 職務(wù)： 對(duì)外技術(shù)服務(wù)主管
  • 學(xué)歷： 工學(xué)博士
  • 電話： 010-82995563
  • 傳真： 010-82995783
  • 電子郵件： tyang@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)

    簡(jiǎn)　　歷：

  • 教育背景

    2003.09-2007.01，大連理工大學(xué)，材料表面工程，博士

    2001.09-2003.09，大連理工大學(xué)，材料學(xué)，碩士

    1997.09-2001.07，大連交通大學(xué)，材料科學(xué)與工程，學(xué)士

    工作簡(jiǎn)歷

    2007.07-2009.10，中芯國(guó)際集成電路制造有限公司，邏輯技術(shù)發(fā)展中心

    2009.11至今，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所，集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心

    社會(huì)任職：

  • 平坦化技術(shù)聯(lián)盟委員

    研究方向：

  • 先進(jìn)IC制造中新材料和新結(jié)構(gòu)器件的CMP和WET工藝研發(fā)

    承擔(dān)科研項(xiàng)目情況：

  • 1. 科技部重大專項(xiàng)：22納米集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)

    2. 海歸團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新項(xiàng)目的子課題：新型微電子器件及其集成封裝的前瞻性研究 ---子課題：高遷移率器件研究

    3. 國(guó)家973項(xiàng)目的二級(jí)課題：適用于低溫環(huán)境的微納多傳感器ＭＥＭＳ系統(tǒng)基礎(chǔ)研究與新型集成工藝探索

    4. 國(guó)家科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目的子課題：面向45-22nm 銅互連和三維封裝TSV的PVD設(shè)備的工藝模塊開發(fā)

    5. 知識(shí)創(chuàng)新工程領(lǐng)域前沿項(xiàng)目：基于CMOS技術(shù)的薄膜能量收集

    6. 知識(shí)創(chuàng)新工程領(lǐng)域前沿項(xiàng)目：15納米若干關(guān)鍵工藝技術(shù)研究

    7. 知識(shí)創(chuàng)新工程領(lǐng)域前沿項(xiàng)目：16納米硅基三維器件

    代表論著：

  • 1、 T. Yang, C. Zhao, G. B. Xu, Q. X. Xu, J. F. Li, W. W. Wang, J. Yan, H. L. Zhu, and D. P. Chen, HfSiON High-k Layer Compatibility Study with TetraMethyl Ammonium Hydroxide (TMAH) Solution, Electrochemical and Solid-State Letters, 15 (5) H141-H144 (2012)

    2、 T. Yang, H. X. Yin, Q. X. Xu, C. Zhao, J. F. Li, D. P. Chen, Dummy Poly Silicon Gate Removal by Wet Chemical Etching, China Semiconductor Technology International Conference 2011 (CSTIC 2011), ECS Transactions - CSTIC 2011, Dry and Wet Etch and Cleaning, volume 34, pp. 361-364

    專利申請(qǐng)：

  • 已申請(qǐng)國(guó)內(nèi)外發(fā)明專利20項(xiàng)。

    獲獎(jiǎng)及榮譽(yù)：

  • 2010及2013年度中國(guó)科學(xué)院微電子研究所優(yōu)秀員工?