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當前位置 首頁 人才隊伍
  • 姓名： 趙妙
  • 性別： 女
  • 職稱： 副研究員
  • 職務： 
  • 學歷： 博士
  • 電話： 010－82995595
  • 傳真： 010－82995595
  • 電子郵件： zhaomiao@ime.ac.cn
  • 所屬部門： 高頻高壓器件與集成研發(fā)中心
  • 通訊地址： 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號

    簡　　歷：

  • 教育背景

    1997.9-2001.6，河北師范大學，本科，物理

    2001.9-2004.6，廣西大學，碩士，材料物理

    2004.9-2007.6，中國科學院半導體研究所，博士，固體電子與微電子

    工作簡歷

    2007.7至今，中科院微電子研究所，副研究員

    社會任職：

    研究方向：

  • 微波器件與電路可靠性

    承擔科研項目情況：

  • 1、AlGaN/GaN HEMT 低頻噪聲與器件可靠性相關性的研究，國家自然基金 青年科學基金項目，2012.1－2014.12 28萬 項目負責人

    2、AlGaN/GaN HEMT飛秒超快特性的研究，國家自然基金 面上項目 2010.1－2012.12 31萬 主要負責

    3、GaN基毫米波功率器件與材料基礎與關鍵技術研究，國家自然基金 重大項目 成員

    4、新一代化合物半導體電子器件與電路研究子課題“AlGaN/GaN微波功率器件” 973成員

    代表論著：

  • 1、Miao Zhao, Liu Xinyu, etal., Thermal storage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors，IEEE transaction on device and material reliability, 10 (2010)， P 360-365。

    2、Miao Zhao, M.Q.Tan, etal., The effect of proton radiation on a superluminescent diode (SLD)，Nuclear Inst. And Methods in Physics Research, B, 260, 2007: 623-627.

    3、趙妙，劉新宇，等，GaN帽層對AlGaN/GaN HEMT 肖特基特性的研究， 第十五屆全國化合物半導體、微波器件和光電器件學術會議，2008：697－699

    4、趙妙，譚滿清，等，雙源電子束蒸發(fā)提高光學薄膜致密性的工藝研究，光電子·激光，18（2007）40-42

    5、趙妙，譚滿清，質子輻照對超輻射發(fā)光二極管性能的影響，半導體學報，27（2006）1586－89

    6、Wang Xin-Hua，Zhao Miao，Liu Xin-Yu，The physical process analysis of capacitance-voltage characteristics for AlGaN-AlN-GaN HEMTs, Chinese physics B, 19 (2010).

    7、Wang Xinhua, Zhao Miao, Liu Xinyu, etal. A revised approach to schottky parameters extraction for GaN HEMT after elevated temperature aging，Journal of semiconductors，2010，31(7), P074005

    8、Zhaomiao，Liu xinyu，Zheng Yingkui，etal，IEEE 19th International symposium on the Physical&Failure analysis of Integrated Circuited (IPFA 2012)

    專利申請：

  • 1、趙妙，等，一種提高肖特基勢壘高度的方法，申請?zhí)枺?00910303939.4， 09.07.02

    2、趙妙，等，已減薄或劃片的氮化鎵場效應管的退火處理方法，200910307846.9，09.09.28

    3、趙妙，等，一種測量AlGaN/GaN HEMT器件凹柵槽深度的方法，200910241685.8，2009.12.02

    4、趙妙，劉新宇，等，一種檢測GaN器件肖特基漏電模式的方法，201010217186.8，2010.7.6

    5、趙妙，等，一種通過肖特基測試圖形監(jiān)測GaN基HEMT可靠性的方法，201010241994.8 2010.8.3

    6、趙妙，劉新宇，等，一種GaN基HEMT器件的可靠性評估方法，201010233999.6，2010.7.22

    7、趙妙，等，確定場效應管老化條件的方法、場效應管老化方法及場效應管篩選方法，201110163890.4，2011.6.17

    8、趙妙，等，對GaN基器件的直流穩(wěn)態(tài)功率老化進行預篩選的方法，201110236597.6,2011.8.17

    9、趙妙，等，一種測量GaN基器件熱可靠性的方法，201110236600.4，2011.8.17

    10、趙妙，等，確定AlGaN/GaN基異質結溝道載流子壽命的方法，201210238641.1，2012.7.10

    11、趙妙，等，一種評價半導體器件肖特基電流輸運方式的方法，201210239703.0，2012.7.10

    12、趙妙，等，雙溝道晶體管及其制備方法，201210335697.9，2012.9.11

    13、趙妙，劉新宇，鄭英奎，李艷奎等，GaN基器件肖特基接觸可靠性的評價方法，201410005195.9, 2014.1.6

    14、趙妙，劉新宇，魏珂，李艷奎等，一種GaN基半導體器件歐姆接觸可靠性的評價方法，201410005400.1, 2014.1.6

    15、趙妙，劉新宇，鄭英奎，李艷奎等 一種檢測器件肖特基漏電模式的方法，201010217186.8， 2013.7.3

    16、趙妙，劉新宇，鄭英奎，魏珂，李艷奎等，一種GaN基HEMT器件的可靠性評估方法，201010233999.6， 2013.8.14

    獲獎及榮譽：

  • Zhaomiao，Liu Xinyu，IEEE 16th International symposium on the Physical&Failure analysis of Integrated Circuited (IPFA 2009) Photo