劉明，1964年4月出生于江西豐城，微電子科學與技術專家。1985年本科畢業(yè)于合肥工業(yè)大學，1988年獲該校碩士學位，1998年于北京航空航天大學獲博士學位。2000年被聘為中國科學院微電子研究所研究員和納米加工與新器件集成技術研究室主任。2008年獲得國家杰出青年基金資助。現(xiàn)任中國科學院微電子研究所研究員、博士生導師、中國科學院微電子器件與集成技術重點實驗室主任。2015年當選為中國科學院院士。
劉明研究員長期致力于微電子科學技術領域的研究，在存儲器模型機理、材料結構、核心共性技術和集成電路的微納加工等方面做出了系統(tǒng)、創(chuàng)造性貢獻。代表性成果包括：建立了阻變存儲器（RRAM）物理模型，提出并實現(xiàn)高性能RRAM和集成的基礎理論和關鍵技術方法，產(chǎn)生重要國際影響。拓展了新型閃存材料和結構體系，提出新的可靠性表征技術、失效模型和物理機理，為存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供關鍵理論和技術基礎。她發(fā)表SCI收錄論文250多篇，SCI他引（劉明或合作者均視為自引）超過2800次，6篇論文入選ESI高被引論文榜，兩項工作列入2013年ITRS（國際半導體發(fā)展路線圖）、多項工作作為典型進展被寫入15本著作和40篇綜述中。在本領域重要國際會議做邀請報告30多次。授權發(fā)明專利180件（含美國授權專利7件），主要專利轉(zhuǎn)讓/許可到多家重要集成電路企業(yè)。
劉明研究員曾獲國家技術發(fā)明二等獎3項（2013年（排名第1）、2007年（排名第2）、2005年（排名第4））、國家科技進步二等獎1項（2009年（排名第4））、中國電子學會科學技術獎自然科學類一等獎（2015年（排名第1））、北京市科學技術一等獎2項（2010年（排名第1）、2003年（排名第10））、北京市科學技術二等獎2項（2014年（排名第1）、2002年（排名第3））、中國真空科技成就獎（2012年）和中科院杰出成就獎（2014年（排名第8））等獎項。
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