近日，我所微波器件與集成電路研究室（四室）依靠獨(dú)立開發(fā)的全新技術(shù)，成功研制出國內(nèi)首個ZnO納米棒場效應(yīng)晶體管。

　　ZnO是一種新型寬禁帶多功能半導(dǎo)體材料。ZnO納米材料（納米線、納米棒、納米帶、納米環(huán)等等）具有較常規(guī)體材料更為優(yōu)越的性能，在傳感、光、電等諸多領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景，引起了國際學(xué)術(shù)界的極大關(guān)注。目前，國內(nèi)的研究集中在材料生長和二極管器件制備方面。

　　我所四室張海英研究員、徐靜波助理研究員、黎明和付曉君博士經(jīng)過刻苦的科研攻關(guān)，使用中國科技大學(xué)提供的材料，在微電子所所長基金支持下，獨(dú)立開發(fā)出一套全新的“由下至上”的納米器件設(shè)計和制備方法，采用常規(guī)的接觸式光學(xué)光刻技術(shù)，以ZnO納米棒作為溝道，與柵氧、背面柵金屬形成金屬——氧化物——半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管，獲得了滿意的器件測試結(jié)果，標(biāo)志著國內(nèi)首個背柵ZnO納米棒場效應(yīng)晶體管的研制成功，填補(bǔ)了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。

　　場效應(yīng)晶體管研制的成功為新型納米器件及其應(yīng)用開辟了全新的研究領(lǐng)域，課題組將繼續(xù)深入合作，協(xié)助材料生長方制備出直徑更細(xì)的納米線，進(jìn)一步完善器件工藝，提高器件性能，為實用化解決關(guān)鍵技術(shù)問題。