我所劉明研究員領導的下一代非揮發(fā)性半導體存儲器研究小組，最近在阻變存儲器（ReRAM）領域取得新的進展，題為“Improvement of resistive switching properties in ZrO2-based ReRAM with implanted metal ions”的研究論文被歐洲固態(tài)電子器件會議（ESSDER）錄用，ESSDER是國際電子電氣工程師協(xié)會（IEEE）旗下關于微納電子學領域的最重要的會議之一。同時劉明研究員還被邀請擔任該會議的學術委員會委員，這表明我所下一代非揮發(fā)存儲器的研究工作再一次得到國際同行的認可。

　　在ReRAM的研究中，三室存儲器小組把研究的注意力集中在材料組分簡單、制造工藝與CMOS兼容的二元金屬氧化物上，創(chuàng)新性地提出了采用摻雜的手段來改善二元金屬氧化物的電阻轉變特性，并取得的良好的實驗結果。研究表明通過調節(jié)二元氧化物中的雜質類型和相關參量，可以人為的控制ReRAM的轉變特性，為ReRAM的實用化提供了一條技術手段。同時，該研究組深入開展了摻雜的二元氧化物材料的阻變機理的研究，也取得了較好的研究成果。目前，該研究組已在IEEE Electron Device letters，Applied Physics Letters，Journal of Applied Physics等高水平國際期刊上發(fā)表相關論文近十篇。

　　以上工作得到國家重點基礎研究發(fā)展計劃（973計劃），中國高技術研究發(fā)展計劃（863計劃），國家自然科學基金的支持。