10月17日，國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項“新型高密度存儲材料與器件”項目啟動會在微電子所召開。科技部高技術(shù)研發(fā)中心材料處處長史冬梅、主管楊斌，微電子所所長葉甜春，中科院院士、微電子重點實驗室主任劉明，項目責(zé)任專家鄧濤教授，項目咨詢專家周彬教授、石瑛教授、潘峰教授、徐晨教授、宋志棠研究員以及項目組科研骨干參加會議。

　　會上，葉甜春和劉明先后致辭，對科技部高技術(shù)研發(fā)中心和專家組成員的支持表示感謝。葉甜春對當(dāng)前存儲器領(lǐng)域的形勢和現(xiàn)狀進行了總結(jié)和展望，表示要集中力量圍繞關(guān)鍵技術(shù)開展攻關(guān)，實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)的不斷突破。項目負責(zé)人、微電子所研究員劉琦匯報了項目總體情況和實施方案。楊斌從項目部署、管理方案、實施過程中的問題和原因等幾個方面對項目的管理工作進行了詳細介紹。與會專家對項目的布局給予積極評價，并對項目的具體實施提出了寶貴意見。葉甜春代表微電子所向項目咨詢專家頒發(fā)了聘書。

　　“新型高密度存儲材料與器件”面向大數(shù)據(jù)時代對海量數(shù)據(jù)存儲和處理的需求，研究相變、阻變、鐵電等新型存儲材料和器件的設(shè)計與制備關(guān)鍵技術(shù)，發(fā)展用于高密度存儲陣列的選通器件及三維集成技術(shù)，研制兼具信息存儲、邏輯、運算、編解碼等多功能的新型原型器件以及柔性阻變存儲器原型器件，將為我國發(fā)展具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型高性能存儲材料與器件奠定技術(shù)基礎(chǔ)。

會議現(xiàn)場

與會專家合影