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科研動態(tài)

微電子所等離子體浸沒黑硅表面處理設備榮獲“第十屆中國半導體創(chuàng)新產品和技術獎”

稿件來源: 發(fā)布時間:2016-04-06

  324日,2016年中國半導體市場年會暨第五屆集成電路產業(yè)創(chuàng)新大會在北京舉行。微電子所微電子儀器設備研發(fā)中心出品的等離子體浸沒黑硅表面處理設備榮獲“第十屆中國半導體創(chuàng)新產品和技術獎”。 

  等離子體浸沒黑硅表面處理設備采用獨特創(chuàng)新設計,使用長壽命、低氣壓均勻等離子體源,優(yōu)化了反應腔內氣流分布模型,原創(chuàng)性制備的黑硅技術具有強大的可見光吸收能力,其采用的32納米以下超淺結注入工藝,以及結合預非晶化處理的浸沒注入技術等特點獲得了專家評委的一致好評并最終獲獎。 

  該設備為促進太陽能電池的應用、推動集成電路制造業(yè)的發(fā)展將起到重要的推動作用。 

 

榮譽證書 

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