2月27日，2014年度北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會召開。微電子所科技成果“阻變存儲器及集成中的基礎(chǔ)問題”、“等離子體浸沒離子注入機(jī)開發(fā)與應(yīng)用”分別榮獲北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)和北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)。 

　　阻變存儲器（RRAM）作為重要的新型存儲技術(shù)得到學(xué)界和業(yè)界廣泛關(guān)注，是微電子領(lǐng)域的前沿和研究熱點(diǎn)。微電子所劉明研究員團(tuán)隊(duì)針對RRAM性能提升和集成中的瓶頸問題，如材料/結(jié)構(gòu)對器件性能影響規(guī)律、器件參數(shù)離散起源及電阻轉(zhuǎn)變的物理機(jī)理等，開展了系統(tǒng)的研究，創(chuàng)新思想和學(xué)術(shù)成果在國際上引起了廣泛關(guān)注。 

　　微電子所夏洋研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)的等離子體浸沒超低能離子注入原理樣機(jī)，應(yīng)用于超淺結(jié)注入、三維Fin結(jié)構(gòu)保形注入、黑硅太陽能電池的制備工藝，不僅滿足了實(shí)驗(yàn)室用機(jī)的需求，也為發(fā)展我國自主知識產(chǎn)權(quán)的微電子關(guān)鍵裝備進(jìn)行了技術(shù)儲備。