日前，“973計(jì)劃”項(xiàng)目“納米結(jié)構(gòu)電荷俘獲材料及高密度多值存儲基礎(chǔ)研究”2013年度總結(jié)大會在中科院微電子所召開。 

　　專家組成員科技部重大科學(xué)研究計(jì)劃處王靜副處長，中科院前沿科學(xué)與教育局楊永峰處長、孔明輝處長，外國專家局馬俊如教授，中科院吳德馨院士、王占國院士、夏建白院士、李樹深院士、高鴻鈞院士，清華大學(xué)范守善院士，中科院上海高等研究院院長封松林研究員，中科院微電子所所長葉甜春研究員，中科院國家納米中心王琛研究員，北京大學(xué)薛增泉教授、朱星教授、張興教授，中山大學(xué)鄧少芝教授，中科院微電子所科技處處長王文武研究員及項(xiàng)目組科研人員參加會議。項(xiàng)目首席科學(xué)家劉明研究員及各課題負(fù)責(zé)人、科研骨干分別匯報(bào)了項(xiàng)目的工作進(jìn)展情況。 

　　　　劉明研究員首先向?qū)＜医M和與會人員介紹了該項(xiàng)目的研究背景、研究目標(biāo)和年度項(xiàng)目進(jìn)展情況。她指出，項(xiàng)目各課題不僅圓滿完成了本年任務(wù)，并在四個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域取得了較大的突破：對新型氧化物存儲材料及含有多層電荷俘獲材料的電荷存儲器件開展了系統(tǒng)性的研究；利用原位電子全息技術(shù)研究了多晶HfO₂俘獲層在不同的操作電壓下俘獲電荷的聚集和擴(kuò)散，首次直接觀察到電荷俘獲存儲器內(nèi)部的電荷轉(zhuǎn)移和分布過程，該成果發(fā)表在Nature Communications上；通過對電荷俘獲存儲器在應(yīng)力條件下器件界面及體缺陷生長的研究，完善了自主開發(fā)的CTM器件模擬平臺，實(shí)現(xiàn)了電荷俘獲存儲器器件性能退化的預(yù)測；面向嵌入式應(yīng)用，完成了2T結(jié)構(gòu)CTM存儲器件的集成技術(shù)研發(fā)和閃存芯片的研制。該項(xiàng)目在2013年度共發(fā)表論文42篇，其中SCI收錄29篇，國際學(xué)術(shù)期刊28篇，國內(nèi)學(xué)術(shù)期刊5篇，國際學(xué)術(shù)會議9篇；授權(quán)發(fā)明專利14項(xiàng)，新申請發(fā)明專利11項(xiàng)。 

　　專家組對項(xiàng)目的各項(xiàng)進(jìn)展表示滿意。王占國院士認(rèn)為本項(xiàng)目已經(jīng)獲得了階段性的成功，在后續(xù)工作上應(yīng)該加強(qiáng)機(jī)理研究，深入研究材料的俘獲機(jī)理，在此基礎(chǔ)上提高材料的穩(wěn)定性。吳德馨院士對項(xiàng)目的進(jìn)展給予充分的肯定，她認(rèn)為各課題間應(yīng)該加強(qiáng)互動，四個(gè)課題之間需要更好的組織，系統(tǒng)總結(jié)，理出思路，突出創(chuàng)新性。范首善院士認(rèn)為本項(xiàng)目需要總結(jié)內(nèi)容，突出亮點(diǎn)，在明年的結(jié)題匯報(bào)時(shí)理好思路，注意與同期立項(xiàng)課題的橫向比較。高鴻鈞院士認(rèn)為課題總體完成很好，希望更深入的在原子尺度上進(jìn)行理論分析，注重各個(gè)課題間的協(xié)同，爭取獲得滾動支持。薛增泉教授認(rèn)為課題的進(jìn)展很大，亮點(diǎn)很明顯，既有前瞻性的基礎(chǔ)研究，也在國內(nèi)實(shí)現(xiàn)器件和芯片的制造，拿出了與產(chǎn)業(yè)界接軌的技術(shù)，符合納米專項(xiàng)立項(xiàng)的初衷。朱星教授指出要注重和同期立項(xiàng)各個(gè)存儲器課題的橫向比較，認(rèn)真準(zhǔn)備結(jié)題工作，爭取獲得滾動支持。 　　　　  

　　專家組成員及項(xiàng)目骨干合影