日前，微電子所在面向應用的阻變存儲器研究上取得新進展。 

　　阻變存儲器（RRAM）是非揮發(fā)性存儲器的一種重要的替代方案，具有工藝及器件結(jié)構(gòu)簡單、微縮性好、高速、低功耗、可嵌入功能強等優(yōu)點。微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室科研人員在前期建立新材料、新結(jié)構(gòu)及與大生產(chǎn)CMOS集成的驗證平臺的研究基礎(chǔ)上，在實用化所需的高性能高可靠性器件方面取得了重要進展。 

　　科研人員在1kb RRAM陣列的基礎(chǔ)上，對器件的可靠性展開了系統(tǒng)研究，建立了失效模型和參數(shù)離散性統(tǒng)計模型；建立了一系列完善的阻變機理分析、表征和模擬方法；在超低功耗器件結(jié)構(gòu)、自整流器件結(jié)構(gòu)、雙極性1D1R結(jié)構(gòu)設(shè)計方面取得突破，為RRAM的3D集成提供了解決方案。 

　　該科研項目相關(guān)工作也得到了國家科技重大專項的支持，并發(fā)表在Advanced Materials、Nature子刊Scientific Reports、Nanoscale、IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters等期刊上，進一步提升了微電子所在RRAM領(lǐng)域的國際影響力。 

　　集成于晶體管上的HfO₂基RRAM器件