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科研動(dòng)態(tài)

微電子所在黑硅(多晶)太陽(yáng)能電池研究上再獲突破

稿件來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2012-11-06
  近日,中科院微電子所微電子設(shè)備研究室(八室)夏洋研究員帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)聯(lián)合嘉興微電子儀器與設(shè)備工程中心在多晶黑硅太陽(yáng)能電池研究上再次獲得突破,電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到17.88%,在多晶硅太陽(yáng)能電池研究領(lǐng)域中處于先進(jìn)水平。

  夏洋研究團(tuán)隊(duì)原創(chuàng)性提出利用等離子體浸沒離子注入技術(shù),在商用多晶硅(156×156mm2)襯底上制備黑硅材料,并將其成功應(yīng)用于太陽(yáng)能電池領(lǐng)域。該方法通過(guò)離子注入反應(yīng),形成致密的納米結(jié)構(gòu),起到良好的陷光作用,使多晶硅的光吸收達(dá)到99%,從而大大提升太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。其相關(guān)研究文章發(fā)表在Solar Energy Materials and Solar cells、Solar Energy、Energy Procedia、Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena、物理學(xué)報(bào)等多家期刊上,并已申請(qǐng)專利30余項(xiàng)。

  目前,該團(tuán)隊(duì)和浙江省大型光伏生產(chǎn)企業(yè)已開展密切合作,該技術(shù)的應(yīng)用有望為我國(guó)光伏企業(yè)發(fā)展做出貢獻(xiàn)。

  多晶黑硅太陽(yáng)能電池I-V測(cè)試曲線(微電子所,2012)

多晶黑硅太陽(yáng)能電池模組(微電子所,2012)  
 
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