黑硅是一種低反射率的硅材料，和常規(guī)的硅材料相比它具有超強(qiáng)的吸收光線的能力，可用于太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)。中科院微電子所微電子設(shè)備研究室（八室）夏洋研究員帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)，原創(chuàng)性提出利用等離子體浸沒(méi)離子注入技術(shù)制備黑硅材料。該團(tuán)隊(duì)利用自行研制的等離子體浸沒(méi)離子注入機(jī)（國(guó)家自然科學(xué)基金委、中科院裝備項(xiàng)目、方向性項(xiàng)目支持）制備了多種微觀結(jié)構(gòu)的黑硅材料，在可見(jiàn)光波段黑硅的平均反射率為0.5%，與飛秒激光制備黑硅的反射率相當(dāng)，同時(shí)該工藝適應(yīng)大批量制備，成本低，生產(chǎn)效率高。其科研文章發(fā)表在Solar Energy、Energy Procedia、Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena、物理學(xué)報(bào)等多家期刊上，已申請(qǐng)專(zhuān)利30余項(xiàng)。

　　通過(guò)對(duì)黑硅結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，并且對(duì)生產(chǎn)線電池配套工藝進(jìn)行改進(jìn)，在全國(guó)產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)線研發(fā)出多晶黑硅太陽(yáng)能電池（156mm×156mm，多晶）批量平均效率高達(dá)17.46％，最高可到17.65%。