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科研動態(tài)

中科院微電子所在低溫復(fù)雜環(huán)境總劑量效應(yīng)研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

稿件來源: 發(fā)布時間:2011-06-17

  日前,通過近兩年的努力,國內(nèi)第一個低溫可充氣真空輻射系統(tǒng)由中科院微電子所硅器件與集成技術(shù)研究室(一室)研制成功。

  該低溫測試系統(tǒng)由一室可靠性測試小組的劉剛、畢津順、曾傳濱等科研人員自行設(shè)計完成,其極限真空<10-7Pa,12小時靜態(tài)漏氣<0.1Pa,氣體充氣能力為1Pa—1MPa,液氮溫度連續(xù)實驗時間>5小時。

  通過該測試系統(tǒng),研究人員首次測到電子元器件在液氮低溫環(huán)境下總劑量效應(yīng)的實驗數(shù)據(jù)和封裝氣體環(huán)境對電子元器件總劑量效應(yīng)的實驗數(shù)據(jù),實驗數(shù)據(jù)表明電子元器件在低溫輻射總劑量效應(yīng)影響比室溫輻射影響要惡劣數(shù)倍,即使經(jīng)室溫退火后總劑量效應(yīng)的影響仍然非常嚴(yán)重。該低溫測試平臺將為微電子所的相關(guān)電子元器件低溫環(huán)境下總劑量效應(yīng)的機(jī)理研究提供可靠和穩(wěn)定的低溫測試支撐平臺。

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