973項目“超高頻、大功率化合物半導體器件與集成技術基礎研究”2010年度總結大會于2010年12月27日于中科院微電子所召開，著名科學家王越院士、吳德馨院士、微電子所葉甜春所長參加了會議并做工作指導，各子課題負責人和科研骨干出席會議并匯報了項目的工作進展情況，會議由項目首席科學家劉新宇研究員主持。
葉甜春所長首先對項目科研人員一年來的工作表示肯定和感謝。他說，項目一年來運轉情況良好，各個課題都取得了突出的成績，他希望項目組成員要立足現有的研究基礎，加強項目間的合力，突出解決好關鍵科研問題，開拓創新大膽尋求突破，創造更好的成績。
各課題負責人依次做課題工作報告，詳細介紹了本課題2010年度工作目標和年度工作節點完成情況，陳述了全年課題工作進展。通過全體科研人員一年來不懈的努力該項目取得了多項突破，其中幾項主要成果進展顯著：實現無費米能級高K釘扎的高K介質MOS界面；W波段系列電路研制成功；研制成功Fmax>210GHz的AlGaN/GaN HEMT器件；基于1um GaAs HBT工藝8-bit超高速數模混合電路研制成功；2010年度發表論文34篇，申請發明專利26項。
會上，圍繞2010年度的工作進展狀況，在座科研人員展開了熱烈的討論。王越院士認為本項目作為973滾動支持的項目，具備良好的可持續性，提出的關鍵科研問題切合目前國內形勢需要，研究思路明確，成績斐然。吳德馨院士表示，本項目的成功將依賴于幾個關鍵點的突破，她希望各個課題組之間加大配合力度，發揮系統集成軟件的潛力。
項目首席科學家劉新宇研究員在總結匯報中指出，整個項目第一年的運行情況平穩，顯示了一個非常良好的開端，本年度節點目標完成情況良好，各課題圓滿并超額完成了任務書中的節點目標，部分研究成果達到或超越了國際先進水平。但在其中也存在著諸如課題組之間科研互動不夠等問題。他要求各個課題組在下一年度的科研工作中，狠抓改進科研模式，大力提高協作科研能力，各個課題組之間形成良好的互動，更快、更好、更深入的研究解決關鍵科學問題，實現科學研究和科研管理的雙突破，為即將到來的項目中期評估做好充分準備。
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