日前，由中國(guó)科學(xué)院EDA中心承接的高性能IP模塊研制課題，在陳嵐研究員和吳玉平研究員的帶領(lǐng)下，研究小組成員克服時(shí)間緊、任務(wù)重等困難，在基于SiGe工藝下的射頻IP關(guān)鍵核心模塊的研制工作取得了重要進(jìn)展，并獲得了上海華虹NEC電子有限公司的高度認(rèn)可。

　　圖1 射頻IP模塊的芯片照片

　　高性能IP研究小組使用華虹NEC已有SiGe工藝，對(duì)部分射頻IP模塊進(jìn)行了設(shè)計(jì)工作。通過(guò)電路仿真、版圖設(shè)計(jì)、流片和測(cè)試，驗(yàn)證了所設(shè)計(jì)的射頻模塊符合預(yù)期的設(shè)計(jì)要求，并為0.18/0.13um SiGe HBT工藝平臺(tái)的研發(fā)提供了可借鑒的經(jīng)驗(yàn)。

　　圖2 部分射頻模塊的測(cè)試結(jié)果

　　自從華虹NEC的0.13um SiGe HBT平臺(tái)開(kāi)放后，高性能IP研究小組又立即針對(duì)該平臺(tái)進(jìn)行了部分射頻IP的設(shè)計(jì)工作，目前已進(jìn)入制版階段，并將很快進(jìn)行流片驗(yàn)證。在整個(gè)項(xiàng)目的合作中，高性能IP研究小組主動(dòng)與華虹NEC進(jìn)行全面的探討和交流，推進(jìn)了該項(xiàng)目的順利進(jìn)行，并獲得了華虹NEC的高度認(rèn)可。