11月20日，我所舉行聘任宏力半導體公司（Grace Semiconductor Manufacture Corp.）副總裁孔蔚然為客座研究員儀式。孔蔚然副總裁在接受葉甜春所長頒發的聘書后為現場師生作了題為“Endurance Study of Si-Floating-Gate Flash Memory”的精彩報告，與大家進行了熱烈的討論與交流。
孔蔚然，1985年在南開大學獲得物理學學士學位，于1993年和1995年在美國俄勒岡科技研究生院（Oregon Graduate Institute of Science & Technology ）分別獲得電子工程學碩士與應用物理學博士學位。他曾先后任職于schlumberger、ISSI、LSI Logic、Sun Microsystems，于2003年加入宏力半導體（GSMC），現任副總裁。
孔蔚然副總裁在宏力半導體（GSMC）期間領導并完成了多項關鍵技術和產品的研發工作，其中包括0.25/0.18μm NOR Flash，0.15μm LV Logic，0.12μm NOR Flash，0.25/0.18/0.15μm Embedded Flash。目前，微電子所微細加工與納米技術研究室（三室）正與宏力半導體公司（GSMC）開展硅納米晶嵌入式閃存的合作研究，并已在8英寸生產線上完成關鍵技術。
葉甜春所長（右）向孔蔚然副總裁頒發聘書
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