微電子所研究生劉佳榮獲ICSICT-2010最佳學生論文獎

　　11月4日，中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心（十室）研究生劉佳在駱志炯研究員指導下完成的題為Low Leakage Bulk Silicon Substrate Based SDOI FINFETs的論文被International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010) 評為最佳學生論文。

　　劉佳在論文中對駱志炯研究員提出的SDOI FINFET器件結構做了大量深入研究工作，并取得了重要成果。該項研究工作得到了02重大科技專項的支持。

　　FINFET以其優秀的柵控能力及有效改善短溝效應等優點，成為32nm特征尺寸以后有力的候選器件。新型的SDOI FINFETs 結合了Bulk FINFETs 和 SOI FINFETs 的優點，可以實現低漏電并提高襯底散熱能力。TCAD模擬表明，SDOI FINFETs 在取代平面MOS器件方面展現出廣闊的應用前景。

　　ICSICT是在中國大陸舉辦的最具影響力的微電子學國際會議。該會議今年共收到來自28個國家的多所著名研究機構800多篇論文投稿，最終接受口頭報告345個，展板報告295個。