微電子所研究生劉佳、于偉澤研究成果被ICSICT-2010接收

　　日前，中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心（十室）09級研究生劉佳的“先進FinFET結構”最新研究成果和于偉澤的“非對稱性的高k金屬柵”最新研究成果，被11月于上海舉行的國內微電子學領域最具影響力國際會議International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT-2010)接收。

　　劉佳、于偉澤分別在集成電路先導工藝研發中心駱志炯研究員和尹海洲研究員的指導下，對先進FinFET結構和非對稱性的高k金屬柵進行了深入課題研究，并得到了02重大科技專項基金的支持。撰寫的科研文章分別為Low Leakage Bulk Silicon Substrate Based SDOI FINFETs 和 Performance Optimization of n-MOSFETs Using Asymmetric Interfacial Oxide layer。