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立足當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)光通信核心芯片長(zhǎng)期依賴進(jìn)口、高速集成電路自主化能力薄弱的背景，吳德馨先生帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)依托自行研發(fā)的4英寸InGaP／GaAs　HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）工藝技術(shù)，成功研制出國(guó)內(nèi)首款10Gb／s光調(diào)制器驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)了從材料生長(zhǎng)、器件制造到電路設(shè)計(jì)的全鏈條自主創(chuàng)新。該驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵性能指標(biāo)完全滿足10Gb／s光通信系統(tǒng)（SONET　OC－192、SDH　STM－64）的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)要求。該驅(qū)動(dòng)電路的研制成功，有效解決了10Gb／s光發(fā)射模塊的核心芯片問(wèn)題，對(duì)我國(guó)電信傳輸網(wǎng)從2.5Gb／s向10Gb／s　DWDM系統(tǒng)過(guò)渡具有重要的支撐作用。

在解決核心芯片問(wèn)題的同時(shí)，吳德馨先生在國(guó)內(nèi)率先提出利用MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)激光器與光纖的無(wú)源耦合，突破了V型槽高精度加工（精度達(dá)1微米）、高速微帶電路、激光器倒扣焊接與光纖精確定位等核心工藝，通過(guò)引入激光器定位座、中繼環(huán)對(duì)準(zhǔn)及透鏡、隔離器、光纖的精密定位，大幅提升了耦合效率與成品率。在國(guó)內(nèi)率先研制出10Gb／s電吸收調(diào)制激光器模塊，傳輸距離達(dá)53公里，模塊性能達(dá)到實(shí)際使用要求，為我國(guó)高速光通信核心器件的自主化奠定了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)。