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紀(jì)念吳德馨院士專欄主圖

研制成功VDMOS功率器件、砷化鎵異質(zhì)結(jié)高速晶體管(HEMT)及GaAs PHEMT,推動化合物半導(dǎo)體器件的發(fā)展

發(fā)布時間:2026-03-31

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吳德馨先生在化合物半導(dǎo)體器件領(lǐng)域同樣取得了開創(chuàng)性成就,是我國該領(lǐng)域的重要開拓者之一。20世紀(jì)80年代末期,她帶領(lǐng)微電子中心自主研究開發(fā)成功VDMOS系列功率器件,填補(bǔ)了國內(nèi)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)空白。1991年,“VDMOS器件技術(shù)開發(fā)和產(chǎn)品系列定型”項(xiàng)目獲得中國科學(xué)院科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎。1992年,“大電流功率VDMOS場效應(yīng)器件KWP50N05 KWH50N05”獲得國家級新產(chǎn)品證書。

此外,她帶領(lǐng)新型器件團(tuán)隊(duì)成功研制出0.1微米T型柵GaAs PHEMT(磷化銦鎵高電子遷移率晶體管),器件截止頻率達(dá)89GHz,性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。同時,團(tuán)隊(duì)還成功研制出砷化鎵/銦鎵磷異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(HBT),截止頻率高達(dá)92GHz,為后續(xù)高速集成電路的研發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)的器件基礎(chǔ)。

在此基礎(chǔ)上,吳德馨先生進(jìn)一步拓展化合物半導(dǎo)體的研究范疇,研制成功多種化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)器件,包括用于微波功率放大的氮化鎵/鋁鎵氮異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)功率晶體管等。這些研究成果不僅為我國化合物半導(dǎo)體器件的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),也為后續(xù)手機(jī)功放、微波通信等民用市場的蓬勃發(fā)展提供了核心技術(shù)支撐。