國內(nèi)首次研制出4K動態(tài)隨機存儲器（DRAM）
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1977年，全國自然科學學科規(guī)劃會議在北京召開，全國科研單位和高等院校的專家學者及管理干部共1200余人參會。會議結(jié)束時，中央領導人華國鋒、鄧小平等接見了參會代表。王守覺、吳德馨與魏策軍等作為參會代表受到了接見。這次會議是“科學的春天”到來之前的重要序幕，會上鄧小平同志針對我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的迫切需求提出，“你們一定要把大規(guī)模集成電路搞上去”。
1978年底，吳德馨先生承擔了N-MOS?4096位（4K）動態(tài)隨機存儲器（DRAM）研制重任。作為表面器件研究室405組組長，她在王守武先生的指導下，帶領團隊開展工藝和版圖設計研究，研制成功N-MOS 4096位動態(tài)隨機存儲器（DRAM）。她還在國內(nèi)首次將正性膠光刻、干法刻蝕等先進工藝用于大規(guī)模集成電路研制，獨創(chuàng)“露點法”檢測接觸孔質(zhì)量，大幅提升了大規(guī)模集成電路成品率。該技術推廣到上海器件五廠，為我國集成電路的工業(yè)生產(chǎn)奠定了基礎，大幅提升國產(chǎn)芯片量產(chǎn)可行性。隨后，她與團隊接續(xù)攻克16K、64K位DRAM技術，推動了我國存儲器技術迭代升級。
1980年，“N溝MOS?4096位動態(tài)隨機存儲器提高管芯成品率的研究”、“16K位MOS動態(tài)隨機存儲器”獲得中國科學院科技成果一等獎。
MOS?4K存儲器
MOS?16K存儲器
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