作者信息：重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室  劉宇 

圖片描述：本作品顯示的是在硅片表面外延生長(zhǎng)SiN,在晶格失配及應(yīng)力的作用下SiN沿<110>方向隨機(jī)斷裂，在經(jīng)過濕法腐蝕后可以清晰地看到薄膜斷裂的線條，圖片展現(xiàn)了在錯(cuò)綜復(fù)雜中同時(shí)又井然有序的自然之美。每次看到此圖都能提醒我們，在科研工作中要懂得從紛亂復(fù)雜的現(xiàn)象中發(fā)現(xiàn)自然的秩序，發(fā)現(xiàn)真正的科學(xué)之美。 

實(shí)驗(yàn)方法：利用LPCVD在Si<100>面上生長(zhǎng)SiN薄膜，控制工藝參數(shù)使薄膜產(chǎn)生缺陷，再用KOH溶液進(jìn)行腐蝕使缺陷放大至肉眼可見。 

成像設(shè)備：蘋果手機(jī)