作者信息：先導(dǎo)中心  王桂磊 

圖片描述：本作品顯示的是用TEM電鏡檢測分析的在FinFET源漏工藝中，SiGe應(yīng)變源漏的三維選擇性外延生長。左圖中Si Fin的頂部經(jīng)過高溫烘烤后發(fā)生了Si損失和流動，選擇性外延生長的單晶SiGe并不對稱分布；右圖是在生長過程中保持了Si Fin頂部（寬度約10 nm）的形貌，選擇性生長的SiGe對稱分布在Fin的兩邊。從整體上看，Si上生長的SiGe就像是雨后從地下生長出來的“蘑菇”，煥發(fā)出生機和活力，不過這些“蘑菇”的尺寸是納米級的。 

實驗方法：上圖的SiGe是通過減壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備選擇性外延生長制備，在Fin上生長的SiGe呈三維形狀，SiO₂上面沒有多晶的SiGe的生長。 

樣品制備型號：FIB FEI Helios 

TEM拍攝設(shè)備名稱型號：FEI Tecnai G2 F20